发明名称 | 在溅镀蚀刻工艺中监控蚀刻腔体内离子浓度的方法及装置 | ||
摘要 | 一种在溅镀蚀刻工艺中监控蚀刻腔体内离子浓度的方法及装置,其应用读取溅镀蚀刻工艺中预先清除工艺的直流偏压,并参考此直流偏压监测值,调整溅镀蚀刻工艺中预先清除工艺的参数,使直流偏压于一定范围内变化,以达稳定控制蚀刻腔体的离子浓度,进而使离子浓度于一定范围内变化,并得到缺陷较少的晶圆。 | ||
申请公布号 | CN1429929A | 申请公布日期 | 2003.07.16 |
申请号 | CN01145141.6 | 申请日期 | 2001.12.30 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 林建家;周世良;徐国维 |
分类号 | C23F1/04;H01J37/305;H01J37/34 | 主分类号 | C23F1/04 |
代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
主权项 | 1、一种在溅镀蚀刻工艺中监控蚀刻腔体内离子浓度的方法,该工艺中有利用等离子体与一直流偏压来使离子流撞击待处理物表面,其特征是,在进行溅镀蚀刻时,感测并输出该直流偏压振幅。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |