| 发明名称 | 双侧连接型半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种双侧连接型半导体装置，包括：在两侧上用于外部连接的焊盘；在半导体基底两侧上形成的半导体器件；以及在各焊盘之间和各焊盘与各半导体器件之间进行电连接的导体部分；其中依照选择性杂质扩散方法在半导体基底的两侧上形成半导体器件；导体部分是以这样的方式形成的：依照选择性杂质扩散方法，只在半导体基底两侧上所需要的部分内扩散杂质；这样，受到扩散的半导体基底部分的电阻减小，实现了电连接；并且通过隔离部件将各导体部分与各半导体器件电绝缘。 | ||
| 申请公布号 | CN1430278A | 申请公布日期 | 2003.07.16 |
| 申请号 | CN02159369.8 | 申请日期 | 2002.12.26 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 仙波直治 |
| 分类号 | H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 | 主分类号 | H01L25/065 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;关兆辉 |
| 主权项 | 1.一种双侧连接型半导体装置包括：在两侧用于外部连接的焊盘；在半导体基底两侧上形成的半导体器件；以及在各焊盘之间和各焊盘与各半导体器件之间进行电连接的导体部分；其中依照选择性杂质扩散方法在半导体基底的两侧上形成半导体器件；导体部分是以这样的方式形成的：依照选择性杂质扩散方法，只在半导体基底两侧上所需要的部分内扩散杂质；使得半导体基底的扩散部分的电阻减小，实现电连接；以及通过隔离部件将导体部分与半导体器件电绝缘。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||