发明名称 半导体存贮器件
摘要 在一半导体存贮器中,为了消除位线和总线之间耦合电容的不平衡,在位线层和总线层之间配置一层中间层的列选择信号线。并且,将列选择线的宽度增大成能够盖住因有一接触而宽度互不相同的位线,以此用列选择信号线屏蔽位线和总线,并平衡位线和总线之间的耦合电容。
申请公布号 CN1114952C 申请公布日期 2003.07.16
申请号 CN98101534.4 申请日期 1998.04.13
申请人 日本电气株式会社 发明人 林淳一
分类号 H01L27/10;G11C11/34 主分类号 H01L27/10
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 卢纪;刘文意
主权项 1.一种包含第一贮存库和第二贮存库的半导体存贮器件,包括:一条在所述第二贮存库中的第一位线;一条在所述第二贮存库中的第二位线,所述第二位线与所述第一位线互补;一条形成在所述第二贮存库中的总线,它从所述第一贮存库经过所述第二贮存库输出数据,其特征在于所述的存储器还包括:用以使所述第一位线与所述总线之间的第一电容和所述第二位线与所述总线之间的第二电容基本相等的一层。
地址 日本国东京都