| 发明名称 | Ⅱ－Ⅵ族半导体发光器件的光吸收层 | ||
| 摘要 | 一种II-VI族半导体发光器件，包括II-VI族半导体发光区和波导层。在II-VI族半导体波导层附近和有源区的外部设有光吸收层。光吸收层吸收外来辐射从而减少暗线缺陷(DLD)。 | ||
| 申请公布号 | CN1114980C | 申请公布日期 | 2003.07.16 |
| 申请号 | CN98808435.X | 申请日期 | 1998.07.20 |
| 申请人 | 美国3M公司 | 发明人 | M·A·哈泽;P·F·鲍德 |
| 分类号 | H01S5/327;H01L33/00 | 主分类号 | H01S5/327 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 张政权 |
| 主权项 | 1.一种II-VI族半导体发光器件(10；50；110)，其特征在于包括：II-VI族半导体有源区(24，28，30；64，68，60；124，128，130)；可操作地耦合到有源区的II-VI族半导体波导层(22；62；122)；接近II-VI族半导体波导层并位于有源区外部的光吸收层(34；74；134)，所述光吸收层适于减少暗线缺陷的形成；以及淀积在所述光吸收层(134)上的一层(136)高折射率低损耗材料，所述层(136)邻近所述波导层，从而限定所述波导层。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||