| 发明名称 |
Method for fabricating a high-density semiconductor memory device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2341724(B) |
申请公布日期 |
2003.07.16 |
| 申请号 |
GB19990004384 |
申请日期 |
1999.02.25 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS COMPANY LIMITED |
发明人 |
KI-NAM * KIM |
| 分类号 |
H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/12;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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