一种高耦合率快闪存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种高耦合率快闪存储器及其制造方法，在本发明中，同时形成沟渠以及悬浮闸极的制作，且自对准形成矽岛做为悬浮闸极；本发明方法至少包含形成隧穿介电层于一基板之上，之后沉积第一导电层于隧穿介电层之上，再蚀刻第一导电层、隧穿介电层以及基板，使同时形成沟渠于基板中以及自对准形成悬浮闸极；接着，回填一填充材质于沟渠之中，后续平坦化填充材质，以形成沟渠绝缘结构；下一步骤为形成一层间介电层于悬浮闸极沟渠绝缘结构之上；最后沉积第二导电层于层间介电层之上。

主权项

1.一种高耦合率快闪存储器及其制造方法，该方法至少包含下列步骤：形成隧穿介电层于一基板之上；沉积第一导电层于该隧穿介电层之上；蚀刻该第一导电层、该隧穿介电层以及该基板，使同时形成沟渠于该基板中以及自对准形成悬浮闸极；回填一填充材质于该沟渠之中；平坦化该填充材质，以形成沟渠绝缘结构；蚀刻该沟渠绝缘结构以形成沟槽介于悬浮闸极间；形成第二导电层于该悬浮闸极及该沟渠的表面；蚀刻该第二导电层以形成间隙壁；形成层间介电层于该悬浮闸极、沟渠绝缘结构、该间隙壁之上；及沉积第三导电层于该层间介电层之上。