| 发明名称 | 使用了部分SOI衬底的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体器件具有在支撑衬底的第一区域上，隔着埋入氧化物层形成的第一半导体层；形成在所述支撑衬底的第二区域上的第二半导体层。所述支撑衬底和所述第二半导体层的界面实质上与所述埋入氧化物层的下表面处于同一平面，或位于比所述埋入氧化物层更深的部分。 | ||
| 申请公布号 | CN1430285A | 申请公布日期 | 2003.07.16 |
| 申请号 | CN02160880.6 | 申请日期 | 2002.12.27 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 永野元;新田伸一;亲松尚人 |
| 分类号 | H01L27/12;H01L21/84 | 主分类号 | H01L27/12 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.半导体器件，包含：在支撑衬底的第一区域上，隔着埋入的氧化物层形成的第一半导体层；形成在所述支撑衬底的第二区域上的第二半导体层；所述支撑衬底和所述第二半导体层的界面与所述埋入氧化物层的下表面实质上处于同一平面，或位于比所述埋入氧化物层更深的位置。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||