| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在本发明中，在此公开一种半导体器件，其铜互连层形成多级结构；其特征在于至少一个位于铜互连层之间的层间膜具有层状结构，其中按照次序从下层铜互连层一侧叠放一含氟的无定形碳膜与一SiO<SUB>2</SUB>膜；一层状结构，其中按次序叠放氮化硅，然后叠放氮氧化硅或碳化硅；或者包括单氮化硅层的的一种结构。这种层间膜作为防反射涂层。 | ||
| 申请公布号 | CN1114943C | 申请公布日期 | 2003.07.16 |
| 申请号 | CN99125526.7 | 申请日期 | 1999.12.02 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 松原义久 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/311 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 张祥龄 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其铜互连层形成多级结构；其特征在于至少一个位于铜互连层一侧的层间膜是具有防反射特性的单层或层状结构，与铜互连层接触的层是在不使用氧的条件下形成的。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||