避免尖峰现象的方法

摘要

一种避免尖峰现象的方法，先于一半导体基底表面形成一多晶硅层，接着进行一准直管物理气相沉积制程，以于该多晶硅层表面形成一氮化钛层，随后再进行一快速高温氮化制程，以致密化该氮化钛层；最后于该氮化钛层表面形成一金属硅化物层；其中，该氮化钛层可有效抑制该金属硅化物层与该多晶硅层发生尖峰现象；相较于知制作导线结构中阻障层的方法，本发明于阻障层的溅镀制程中使用准直管作为辅助，而且在溅镀制程之后更进行一快速高温氮化制程，因此可以有效改善阻障层的均匀性以及致密性，进而避免金属硅化物层发生尖峰现象，降低导线的接触电阻，并且提升产品的可靠度。

主权项

1.一种避免一金属硅化物层发生尖峰现象的方法，其特征是：该方法包含有下列步骤：提供一半导体基底；于该半导体基底表面形成一多晶硅层；进行一准直管物理气相沉积制程，以于该多晶硅层表面形成一氮化钛层，以及进行一快速热制程，以使该氮化钛层致密化；以及于该氮化钛层表面形成该金属硅化物层。