| 发明名称 | 半导体器件及方法 | ||
| 摘要 | 电路(10)具有在半导体衬底(14)上形成的双层栅极绝缘层(29)。栅极绝缘层包括非晶层(40)和单晶层(42)。特别地，单晶层具有比非晶层更高的介电常数。 | ||
| 申请公布号 | CN1430792A | 申请公布日期 | 2003.07.16 |
| 申请号 | CN01809824.X | 申请日期 | 2001.04.26 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 库尔特·埃森贝瑟;王军;拉文德拉纳施·德鲁帕德 |
| 分类号 | H01L29/51;H01L21/28 | 主分类号 | H01L29/51 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；和在半导体衬底上形成的绝缘层，绝缘层第一部分由非晶材料形成，第二部分由单晶材料形成，绝缘层中的电场控制半导体衬底的导电性。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||