发明名称 PROCEDIMIENTO DE TRATAMIENTO DE UN SUSTRATO POR PARTICULAS FOTOCATALITICAS CON EL FIN DE HACER A DICHO SUSTRATO AUTOLIMPIANTE.
摘要 Procedimiento de tratamiento de la superficie de un sustrato, caracterizado porque se realizan las siguientes etapas: 1. se trata el sustrato con una dispersión de partículas fotocatalíticas, luego 2. se trata el sustrato con al menos un compuesto siliconado elegido entre: (a) siliconatos de fórmula (I): **(Fórmula)** en la cual: ¿ R es un resto hidrocarbonado de 1 a 18 átomos de carbono, eventualmente sustituido con un átomo de halógeno, un grupo amino, éter, epoxi, mercapto, ciano o (poli)-glicol, ¿ m es un número entero o fraccionario comprendido entre 0, 1 y 3, y ¿ M es un metal alcalino, un grupo amonio o un grupo fosfonio, y/o los productos de condensación de dichos siliconatos, (b) poliorganosiloxanos . bien sea de fórmula media (II): MalphaDbetaTdelta(O1/2Ri)epsilon, en la cual: M = Rii3SiO1/2 D = Rii3SiO2/2 Q = SiO4/2 con Rii, idéntico o diferente, representando bien sea un radical alquilo lineal o ramificado que tiene de 1 a 8 átomos de carbono, bien un grupo arilo sustituido o nosustituido que tiene de 6 a 12 átomos de carbono, o bien un grupo aralquilo, alcarilo, ariloxialquilo o alcoxiarilo en el cual el grupo arilo comprende de 6 a 12 átomos de carbono que pueden estar eventualmente sustituidos con al menos un grupo alquilo o alcoxi, lineal o ramificado, que tiene de 1 a 4 átomos de carbono, y en el cual el grupo alquilo o alcoxi tiene de 1 a 4 átomos de carbono y es lineal o ramificado, alpha, beta y delta representan respectivamente las fracciones molares de los átomos de silicio de los restos de M, D y Q, con alpha + beta + delta = 1, y: alpha <- 0, 10, preferentemente alpha <- 0, 010, beta <- 0, 85, DELTA >- 0, 10, Ri, idénticos o diferentes, representan un grupo alquilo que tiene de 1 a 4 átomos de carbono, y representando epsilon el número medio de restos de O1/2Ri por átomo de silicio que está comprendido entre 0, 1 y 1, 5, . o bien de fórmula media (III): MalphaDbetaTgamma(O1/2Ri)epsilon, en la cual: M, D, Ri y epsilon tienen el significado anteriormente citado, T = RiiSiO3/2, teniendo Rii el mismo significado citado anteriormente, alpha, beta y gamma 13 y y representan respectivamente las fracciones molares de los átomos de silicio de los restos de M, D y T, con alpha + beta + gamma y= 1, y alpha <- 0, 20, preferentemente alpha <- 0, 010, beta <- 0, 60, GAMMA >- 0, 30.
申请公布号 ES2189733(T3) 申请公布日期 2003.07.16
申请号 ES20000901176T 申请日期 2000.01.25
申请人 RHODIA CHIMIE 发明人 CHAUFFRIAT, HENRI;ROCHER, LAURENT
分类号 B01J35/00;B05D5/08;B05D7/00;B08B17/00;C03C17/42;C04B41/50;C04B41/52;C09D5/16;C09D183/06;C09D183/16 主分类号 B01J35/00
代理机构 代理人
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