| 发明名称 |
Method to produce a porous oxygen-silicon layer |
| 摘要 |
The present invention concerns a method to produce a porous oxygen-silicon insulating layer comprising following steps:applying a silicon oxygen layer to a substrateexposing the said substrate to a HF ambient.
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| 申请公布号 |
US6593251(B2) |
申请公布日期 |
2003.07.15 |
| 申请号 |
US20010902544 |
申请日期 |
2001.07.09 |
| 申请人 |
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM (IMEC) |
发明人 |
BAKLANOV MIKHAIL;SHAMIRYAN DENIS;MAEX KAREN;VANHAELEMEERSCH SERGE |
| 分类号 |
H01L21/312;H01L21/316;(IPC1-7):H01L21/31;H01L21/469 |
主分类号 |
H01L21/312 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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