| 发明名称 |
NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE FIELD EFFECT TRANSISTOR (NDR-FET) AND CIRCUITS USING THE SAME |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
AU2002359844(A1) |
申请公布日期 |
2003.07.15 |
| 申请号 |
AU20020359844 |
申请日期 |
2002.12.19 |
| 申请人 |
PROGRESSANT TECHNOLOGIES, INC. |
发明人 |
TSU-JAE KING |
| 分类号 |
H01L21/8234;G11C5/14;G11C11/39;H01L21/28;H01L21/8244;H01L21/8247;H01L27/088;H01L27/11;H01L27/115;H01L29/66;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/06;H01L31/033;H01L29/94;H01L31/058;H01L31/032 |
主分类号 |
H01L21/8234 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
