| 主权项 |
1.一种双覆晶交错堆叠结构,系包含有:一基板,该基板之一表面系形成有复数个第一连接垫及复数个第二连接垫;一第一晶片,系具有一主动面与一非主动面,其中该第一晶片之主动面系形成有复数个第一凸块,并覆晶接合至该基板,使得该些第一凸块电性接合至该基板之第一连接垫;及一第二晶片,系具有一主动面与一非主动面,其中该第二晶片之主动面系交错对应于该第一晶片之非主动面,该第二晶片之主动面系形成有复数个第二凸块,并覆晶接合至该基板,使得该些第二凸块电性接合至该基板之该些第二连接垫。2.如申请专利范围第1项所述之双覆晶交错堆叠结构,其中该第一晶片与该第二晶片系呈相互垂直堆叠。3.如申请专利范围第1项所述之双覆晶交错堆叠结构,其中该基板之第二连接垫另形成有导电栓,以电性接合该第二晶片之第二凸块。4.如申请专利范围第1项所述之双覆晶交错堆叠结构,其中该第一晶片与该第二晶片系为相同尺寸。5.如申请专利范围第1项所述之双覆晶交错堆叠结构,其中该第二晶片之主动面系交错黏设于该第一晶片之非主动面。6.一种双覆晶交错堆叠之封装结构,系包含有:一基板,具有一上表面及一下表面,其中该上表面系形成有复数个第一连接垫及复数个第二连接垫;一第一晶片,系具有一主动面与一非主动面,其中该第一晶片之主动面系形成有复数个第一凸块,并覆晶接合至该基板,使得该些第一凸块电性接合该第一晶片与该基板之第一连接垫;一第二晶片,系具有一主动面与一非主动面,其中该第二晶片之主动面系交错对应于该第一晶片之非主动面,该第二晶片之主动面系形成有复数个第二凸块,并覆晶接合至该基板,使得该些第二凸块电性接合该第二晶片与该基板之该些第二连接垫;及一封胶体,形成于该基板之上表面,以密封该第一晶片、该第二晶片、该些第一凸块及该些第二凸块。7.如申请专利范围第6项所述之双覆晶交错堆叠之封装结构,其中该第一晶片与该第二晶片系呈相互垂直堆叠。8.如申请专利范围第6项所述之双程晶交错堆叠之封装结构,其中该第一晶片与该第二晶片系为相同尺寸。9.如申请专利范围第6项所述之双覆晶交错堆叠之封装结构,其中该第二晶片之主动面系交错黏设于该第一晶片之非主动面。10.如申请专利范围第6项所述之双覆晶交错堆叠之封装结构,其中该第二晶片之非主动面系裸露于该封胶体外。11.如申请专利范围第6项所述之双覆晶交错堆叠之封装结构,其另包含有复数个焊球,其系形成于该基板之下表面。图式简单说明:第1图:依本创作之第一具体实施例,一双覆晶交错堆叠结构之上视图;第2图:沿第1图2-2线之截面图;第3图:沿第1图3-3线之截面图;第4图:依本创作之第二具体实施例,一双覆晶交错堆叠之封装结构之截面图;第5图:美国专利公报公告第5,331,235号之多晶片半导体封装之截面图;及第6图:美国专利公报公告第5,082,802号面对面接合之上晶片与下晶片呈镜像对称之示意图。 |
