| 主权项 |
1.一种浅沟槽隔离物的制造方法,包括下列步骤:提供一形成有沟槽的半导体基底;顺应性地在上述沟槽的侧壁与底部以及上述半导体基底的表面形成一氧化层;利用旋转喷洒方式在上述沟槽填入液体蚀刻遮蔽物,其具有第一密度;以及利用旋转喷洒方式在上述半导体基底表面施以蚀刻剂,去除部分上述氧化层,以露出上述半导体基底的上表面并且留下上述沟槽底部的氧化层,其中上述蚀刻剂具有第二密度,而上述第二密度小于上述第一密度。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中在利用蚀刻剂去除上述氧化层之后更包括下列步骤:利用去离子水清洗上述蚀刻剂、上述液体蚀刻遮蔽物;乾燥上述半导体基底;以及在残留于上述沟槽底部的氧化层上方形成一沈积氧化层。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述填入液体蚀刻遮蔽物的旋转速度大约介于1000~1500rpm。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述填入蚀刻剂的旋转速度大约介于1500~2000rpm。5.如申请专利范围第1项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述液体蚀刻遮蔽物系聚丙烯酸之界面活性剂。6.如申请专利范围第1项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述蚀刻剂系稀释氢氟酸溶液或是缓冲氧化蚀刻剂。7.如申请专利范围第1项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述沟槽的深宽比大约介于3~6之间。8.如申请专利范围第1项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述第一密度在室温下大约介于1.1~2.0,并且上述第二密度大约为1。9.如申请专利范围第1项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述填入液体蚀刻遮蔽物的操作温度大约介于25~40℃之间。10.如申请专利范围第1项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述氧化层系利用高密度电浆化学气相沈积法形成之二氧化矽层。11.如申请专利范围第1项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述液体蚀刻遮蔽物的黏度小于上述蚀刻剂的黏度。12.如申请专利范围第1项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述液体蚀刻遮蔽物系磷酸、醋酸、或是乙二醇。13.一种部分去除氧化层的方法,适用于形成有沟槽的半导体基底,包括下列步骤:顺应性地在上述沟槽的侧壁与底部以及上述半导体基底的表面形成一氧化层;利用旋转喷洒方式在上述沟槽填入液体蚀刻遮蔽物,以当作蚀刻遮蔽物,其具有第一密度;以及利用旋转喷洒方式在上述半导体基底表面施以蚀刻剂,去除部分上述氧化层,以露出上述半导体基底的上表面并且留下上述沟槽底部的氧化层,其中上述蚀刻剂具有第二密度,而上述第二密度小于上述第一密度。14.如申请专利范围第13项所述之部分去除氧化层的方法,其中在利用蚀刻剂去除上述氧化层之后更包括下列步骤:利用去离子水清洗上述蚀刻剂、上述液体蚀刻遮蔽物。图式简单说明:第1图显示本发明实施例使用之旋转喷蚀刻装置的示意图。第2图~第6图显示本发明实施例之浅沟槽隔离物的制程剖面图。 |
