发明名称 压电陶瓷
摘要 [课题]提供能够改良压电特性之压电陶瓷。[解决方法]含有(Na0.5Bi0.5)TiO3等菱形晶系钙钛矿构造化合物、 BaTiO3、(K0.5Bi0.5)TiO3等正方晶系钙钛矿构造化合物、NaNbO3、KNbO3、CaTiO3等斜力晶系钙钛矿构造化合物。或,含有菱形晶系钙钛矿构造化合物、正方晶系钙钛矿构造化合物、SrTiO3等立方晶系钙钛矿构造化合物。藉由含有结晶构造不同之3个种类之钙钛矿构造化合物之方式,能够使压电特性提高。该3种类之化合物可完全固溶,方可否之。
申请公布号 TW541734 申请公布日期 2003.07.11
申请号 TW090128322 申请日期 2001.11.15
申请人 TDK股份有限公司 发明人 古川正仁;堀野贤治;室泽尚吾;五木田佳子
分类号 H01L41/187 主分类号 H01L41/187
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼;何秋远 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种压电陶瓷,其特征为包括菱形晶系钙钛矿构造化合物、正方晶系钙钛矿构造化合物、斜方晶系钙钛矿构造化合物、或立方晶系钙钛矿构造化合物。2.一种压电陶瓷,其特征为包括含有菱形晶系钙钛矿构造化合物、正方晶系钙钛矿构造化合物、斜方晶系钙钛矿构造化合物、或立方晶系钙钛矿构造化合物之固溶体。3.如申请专利范围第1或2项之压电陶瓷,其中含铅(Pb)量在1质量%以下。4.如申请专利范围第1或2项之压电陶瓷,其中菱形晶系钙钛矿构造化合物、正方晶系钙钛矿构造化合物、斜方晶系钙钛矿构造化合物之组成比例系在利用莫耳比之化学式18所示之范围内,(化学式18)aA+bB+cC式中,A为菱形晶系钙钛矿构造化合物,B为正方晶系钙钛矿构造化合物,C为斜方晶系钙钛矿构造化合物,a、b以及c系为分别满足a+b+c=1,0.40<a≦0.99,0<b≦0.40,0<c<0.20范围内之数値。5.如申请专利范围第4项之压电陶瓷,其中在化学式18中,a、b以及c系分别满足a+b+c=1,0.50<a≦0.99,0<b≦0.30,0<c<0.20范围内之数値。6.如申请专利范围第1或2项之压电陶瓷,其中菱形晶系钙钛矿构造化合物、正方晶系钙钛矿构造化合物、斜方晶系钙钛矿构造化合物之组成比例,与位于各化合物之B侧之元素对于位于A侧之元素之组成比例具有方程式7所示之关系,(方程式7)0.9≦ax+by+cz≦1.0式中,a、b以及c系菱形晶系钙钛矿构造化合物、正方晶系钙钛矿构造化合物、斜方晶系钙钛矿构造化合物之莫耳组成比例,a为菱形晶系钙钛矿构造化合物,b为正方晶系钙钛矿构造化合物,c为斜方晶系钙钛矿构造化合物,又,x、y以及z依序分别为菱形晶系钙钛矿构造化合物、正方晶系钙钛矿构造化合物、斜方晶系钙钛矿构造化合物位于B侧之元素对于位于A侧之元素之莫耳组成比例。7.如申请专利范围第1或2项之压电陶瓷,其中菱形晶系钙钛矿构造化合物、正方晶系钙钛矿构造化合物、立方晶系钙钛矿构造化合物之组成比例系在利用莫耳比之化学式19所示之范围内,(化学式19)aA+bB+dD式中,A为菱形晶系钙钛矿构造化合物,B为正方晶系钙钛矿构造化合物,D为立方晶系钙钛矿构造化合物,a、b以及d系为分别满足a+b+d=1,0.60≦a≦0.99,0≦b≦0.40,0<d≦0.20范围内之数値。8.如申请专利范围第1或2项之压电陶瓷,其中菱形晶系钙钛矿构造化合物、正方晶系钙钛矿构造化合物、立方晶系钙钛矿构造化合物之组成比例,与位于各化合物之B侧之元素对于位于A侧之元素之组成比例具有方程式8所示之关系,(方程式8)0.9≦ax+by+dw≦1.0式中,a、b以及d系菱形晶系钙钛矿构造化合物、正方晶系钙钛矿构造化合物、立方晶系钙钛矿构造化合物之莫耳组成比例,a为菱形晶系钙钛矿构造化合物,b为正方晶系钙钛矿构造化合物,d为立方晶系钙钛矿构造化合物、又,x,y以及w依序分别为菱形晶系钙钛矿构造化合物、正方晶系钙钛矿构造化合物、立方晶系钙钛矿构造化合物位于B侧之元素对于位于A侧之元素之莫耳组成比例。9.一种压电陶瓷,其特征为包括由钛酸钠铋构成之第1氧化物;由钛酸钾铋与钛酸钡构成之化合物群中至少一种之第2氧化物;由铌酸钠、铌酸钾与钛酸钙构成之化合物群中至少一种之第3氧化物。10.一种压电陶瓷,其特征为含有由钛酸钠铋构成之第1氧化物,由钛酸钾铋与钛酸钡构成之化合物群中至少一种之第2氧化物,由铌酸钠、铌酸钾与钛酸钙构成之化合物群中至少一种之第3氧化物之固溶体。11.如申请专利范围第9或10项之压电陶瓷,其中第2氧化物系含有钛酸钾铋与钛酸钡。12.如申请专利范围第9或10项之压电陶瓷,其中第1氧化物、第2氧化物、第3氧化物之组成比例,系在利用莫耳比之化学式20所示之范围内,(化学式20)aA+bB+cC式中,A为第1氧化物,B为第2氧化物,C第3氧化物,a、b以及c系为分别满足a+b+c=1,0.40<a≦0.99,0<b≦0.40,0<c<0.20范围内之数値。13.如申请专利范围第12项之压电陶瓷,其中在化学式20中,a、b以及c系为分别满足a+b+c=1,0.50<a≦0.99,0<b≦0.30,0<c<0.20范围内之数値。14.如申请专利范围第9或10项之压电陶瓷,其中该第1氧化物系由钠(Na)与铋(Bi)构成之元素群中至少一种之第1氧化物第1元素、由钛(Ti)构成之第1氧化物第2元素及氧(O)所组成,该第2氧化物系由钾(K)、铋与钡(Ba)构成之元素群中至少一种之第2氧化物第1元素、由钛(Ti)构成之第2氧化物第2元素以及氧所组成;该第3氧化物系由钠、钾与钙(Ca)构成之元素群中至少一种之第3氧化物第1元素、由铌与钛构成之元素群中至少一种之第3氧化物第2元素、以及氧元素所组成;该第1氧化物、第2氧化物、第3氧化物之组成比例,第1氧化物第2元素对于第1氧化物第1元素之组成比例,第2氧化物第2元素对于第2氧化物第1元素之组成比例以及第3氧化物第2元素对于第3氧化物第1元素之组成比例,具有方程式9所示之关系,(方程式9)0.9≦ax+by+cz≦1.0式中,a,b以及c系第1氧化物、第2氧化物、第3氧化物之莫耳组成比例,a为第1氧化物,b为第2氧化物,c为第3氧化物;又,x为第1氧化物第2元素对于第1氧化物第1元素之莫耳组成比例,y为第2氧化物第2元素对于第2氧化物第1元素之莫耳组成比例以及z为第3氧化物第2元素对于第3氧化物第1元素之莫耳组成比例。15.一种压电陶瓷,其特征为包括由钛酸钠铋构成之第1氧化物、由钛酸钾铋与钛酸钡构成之化合物群中至少一种之第2氧化物、由钛酸锶构成之第4氧化物。16.一种压电陶瓷,其特征为包括由钛酸钠铋之第1氧化物,由钛酸钾铋与钛酸钡构成之化合物群中至少一种之第2氧化物,由钛酸锶构成之第4氧化物之固溶体。17.如申请专利范围第15或16项之压电陶瓷,其中第1氧化物、第2氧化物、第4氧化物之组成比例,系在利用莫耳比之化学式21所示之范围内(化学式21)aA+bB+dD式中,A为第1氧化物,B为第2氧化物,D为第4氧化物,a,b以及d系为分别满足a+b+d=1,0.60≦a≦0.99,0<b≦0.20,0<d≦0.20范围内之数値。18.如申请专利范围第15或16项之压电陶瓷,其中第1氧化物系由钠(Na)与铋(Bi)构成之第1氧化物第1元素、由钛(Ti)构成之第1氧化物第2元素以及氧(O)所组成;第2氧化物系由钾(K)、铋与钡(Ba)构成之元素群中至少一种之第2氧化物第1元素、由钛(Ti)构成之第2氧化物第2元素以及氧所组成;第4氧化物系由锶(Sr)构成之第4氧化物第1元素、由钛(Ti)构成之第4氧化物第2元素以及氧所组成;第1氧化物、第2氧化物、及第4氧化物之组成比例,第1氧化物第2元素对于第1氧化物第1元素之组成比例,第2氧化物第2元素对于第2氧化物第1元素之组成比例以及第4氧化物第2元素对于第4氧化物第1元素之组成比例,具有方程式10所示之关系,(方程式10)0.9≦ax+by+dw≦1.0式中,a,b以及d系第1氧化物、第2氧化物、第4氧化物之莫耳组成比例,a为第1氧化物,b为第2氧化物,d为第4氧化物,又,x为第1氧化物第2元素对于第1氧化物第1元素之莫耳组成比例,y为第2氧化物第2元素对于第2氧化物第1元素之莫耳组成比例以及w为第4氧化物第2元素对于第4氧化物第1元素之莫耳组成比例。
地址 日本
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