| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体结构,其中在一基板上形成一源极电极,一汲极电极,一闸极电极,一主动层,一连接于该闸极电极之闸极配线,及一其中形成至少一沟渠之绝缘聚合物膜,其中在该绝缘聚合物膜中所形成之该沟渠容纳由一导电层所建构之该闸极配线,使得该闸极配线自行对齐于该绝缘聚合物膜。2.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体结构,其中该闸极配线之厚度设定于2微米至15微米,以及该闸极配线之纵横比之范围自0.3至3。3.如申请专利范围第1或2项之薄膜电晶体结构,其中该绝缘聚合物膜受支配用于调整其一光学特性之处理。4.如申请专利范围第1或2项之薄膜电晶体结构,其中该绝缘聚合物膜包含复数个聚合物。5.如申请专利范围第1或2项之薄膜电晶体结构,其中该绝缘聚合物膜包含一含矽胶聚合物物质。6.如申请专利范围第1或2项之薄膜电晶体结构,其中该闸极配线系由藉非电解电镀法所沉积之形成一晶种层的导电层及藉电解电镀法所沉积凡导体层所建构。7.如申请专利范围第1或2项之薄膜电晶体结构,其中该薄膜电晶体系建构为一底部闸极型薄膜电晶体或一顶部闸极型薄膜电晶体。8.如申请专利范围第1或2项之薄膜电晶体结构,其中该绝缘聚合物膜包含光敏树脂或光敏树脂合成物。9.一种薄膜电晶体结构之制造方法,其中在一基板上形成一源极电极,一汲极电极,一闸极电极,一主动层,一连接于该闸极电极之闸极配线,及一其中形成至少一沟渠之绝缘聚合物膜,包含下列步骤:形成该源极电极,该汲极电极,该闸极电极及该主动层;形成该绝缘聚合物膜于该基板之上;制作该绝缘聚合物膜图案以形成该沟渠;以及沉积一导电层于该沟渠中而以自行对齐于该绝缘聚合物膜以形成该闸极配线。10.如申请专利范围第9项之制造方法,其中该闸极配线系藉利用非电解电镀法沉积一形成一晶种层的导电层之步骤及藉利用电解电镀法沉积一相异于该晶种层的导电层之步骤予以形成。11.如申请专利范围第10项之制造方法,其中形成该闸极配线之步骤包含一控制该电解电镀法之电流量及时间周期之步骤。12.如申请专利范围第10项之制造方法,其中形成该闸极配线之步骤包含:利用该电解电镀法形成相异于该导电层之导电层以形成该晶种层的步骤;以及使利用该电解电镀法所形成之该导电层之一位准等于该绝缘聚合物膜之位准的步骤。13.如申请专利范围第9.10.11或12项之制造方法,进一步地包含使该绝缘聚合物膜接受一处理以用于调整其一光学特性的步骤。14.如申请专利范围第9.10.11或12项之制造方法,其中该绝缘聚合物膜包含一含矽胶聚合物物质。15.如申请专利范围第9.10.11或12项之制造方法,其中该绝缘聚合物膜系由光敏树脂或光敏树脂合成物所制成。16.一种包含薄膜电晶体结构之显示器装置,其中在一基板上形成一源极电极,一汲极电极,一闸极电极,一主动层,一连接于该闸极电极之闸极配线,及一其中形成至少一沟渠之绝缘聚合物膜,且在该绝缘聚合物膜中所形成之该沟渠容纳由一导电层所建构之该闸极配线,使得该闸极配线自行对齐于该绝缘聚合物膜。17.如申请专利范围第16项之显示器装置,其中该闸极配线之厚度设定于2微米至15微米,以及该闸极配线之纵横比之范围自0.3至3。18.如申请专利范围第16或17项之显示器装置,其中该绝缘聚合物膜受支配用于调整其一光学特性之处理。19.如申请专利范围第16或17项之显示器装置,其中该绝缘聚合物膜包含光敏树脂或光敏树脂合成物。20.如申请专利范围第16或17项之显示器装置,其中该绝缘聚合物膜包含一含矽胶聚合物物质。图式简单说明:图1(a)及1(b)系图式,显示本发明之TFT之结构。图2(a)系图式,显示习知TFT结构之操作;及图2(b)系图式,显示本发明TFT结构之操作。图3(a)至3(f)系图式,显示根据本发明TFT结构之制造方法之一实施例的制造步骤。图4(a)至4(d)系图式,显示本发明TFT结构之制造方法在图3(a)至3(f)中所示之该等步骤之后的制造步骤。图5(a)至5(e)系图式,显示根据本发明TFT结构之制造方法之另一实施例的制造步骤。图6(a)至6(d)系图式,显示根据本发明TFT结构之制造方法在图5(a)至5(e)中所示之该等步骤之后的制造步骤。图7(a)至7(e)系图式,显示根据本发明TFT结构之制造方法之仍一实施例的制造步骤。图8(a)及8(b)系图式,显示根据本发明TFT结构之又一实施例。图9系图式,显示根据本发明TFT结构之再一实施例。图10系图形,其中描绘屏幕大小(寸)及解晰度(PPI)以用于本发明TFT结构之实施例。图11系透视图,显示使用于采用根据本发明一实施例之TFT结构的显示器装置中之TFT阵列。图12系透视图,显示使用于采用根据本发明另一实施例之TFT结构的显示器装置中之TFT阵列。 |
