| 主权项 |
1.一种无铅电镀制程,可应用于一导线架,该无铅电镀制程包括:在该导线架表面闪镀一层纯铜;以及进行一无铅电镀制程,形成一含有锡的镀层。2.如申请专利范围第1项所述无铅电镀制程,其中该导线架材质包括铜。3.如申请专利范围第1项所述无铅电镀制程,其中该导线架材质包括铜合金。4.如申请专利范围第1项所述无铅电镀制程,其中闪镀该层纯铜的电镀液包括硫酸铜、焦磷酸铜及氢氧化铜的混合溶液。5.如申请专利范围第1项所述无铅电镀制程,其中该含有锡的镀层之材质系选自于由纯锡、锡铋合金、锡银合金及锡铜合金所组成的族群中的一种材质。6.如申请专利范围第1项所述无铅电镀制程,其中该含有锡的镀层之材质包括纯锡,其电镀液含有甲基磺酸及锡离子。7.如申请专利范围第6项所述无铅电镀制程,其中该甲基磺酸的浓度约为100~200克/公升,锡离子浓度约50~100克/公升,电镀温度约20~60度C。8.如申请专利范围第1项所述无铅电镀制程,其中该含有锡的镀层之材质包括锡铋合金,其电镀液含有甲基磺酸、锡离子及铋离子。9.如申请专利范围第8项所述无铅电镀制程,其中该甲基磺酸的浓度约100~200克/公升,锡离子的浓度约30~70克/公升,铋离子的浓度约1~5克/公升,其电镀温度约20~60度C。10.如申请专利范围第1项所述无铅电镀制程,其中该含有锡的镀层之材质包括锡铜合金,其电镀液含有甲基磺酸、锡离子及铜离子。11.如申请专利范围第10项所述无铅电镀制程,其中该甲基磺酸的浓度约100~200克/公升,锡离子的浓度约50~100克/公升,铜离子的浓度约0.1~2克/公升,其电镀温度约20~60度C。12.一种无铅电镀制程,包括:提供一基材;在该基材表面闪镀一层纯铜;以及进行一无铅电镀制程,形成一含有锡的镀层。13.如申请专利范围第12项所述无铅电镀制程,其中该基材之材质包括铜。14.如申请专利范围第12项所述无铅电镀制程,其中该基材之材质包括铜合金。15.如申请专利范围第12项所述无铅电镀制程,其中闪镀该层纯铜的电镀液包括硫酸铜、焦磷酸铜及氢氧化铜的混合溶液。16.如申请专利范围第12项所述无铅电镀制程,其中该含有锡的镀层之材质系选自于由纯锡、锡铋合金、锡银合金及锡铜合金所组成的族群中的一种材质。17.如申请专利范围第12项所述无铅电镀制程,其中该含有锡的镀层之材质包括纯锡,其电镀液含有甲基磺酸及锡离子。18.如申请专利范围第12项所述无铅电镀制程,其中该含有锡的镀层之材质包括锡铋合金,其电镀液含有甲基磺酸、锡离子及铋离子。19.如申请专利范围第12项所述无铅电镀制程,其中该含有锡的镀层之材质包括锡铜合金,其电镀液含有甲基磺酸、锡离子及铜离子。图式简单说明:第1图绘示习知以导线架为承载器的封装制程。第2图绘示依照本发明第一较佳实施例的一种半导体封装应用无铅电镀的流程图。第3图绘示对应第2图之半导体封装的部分剖面图。第4图绘示依照本发明第二较佳实施例的一种半导体封装应用无铅电镀的流程图。第5图绘示对应第4图之半导体封装的部分剖面图。第6图绘示本发明无铅电镀制程的特征流程图。 |
