| 主权项 |
1.一种用至少部分截断沿光束途径传导之光束的模组之制造方法,该方法包括:提供一单晶矽基底,其具有一第一基底表面及一第二基底表面;在该第一基底表面上形成一反射器支撑层;藉着由该第二基底表面蚀刻该基底,形成一支撑框架及至少一个反射器;在该反射器支撑层上形成至少一个电导管;以及藉着由该第一基底表面蚀刻该反射器支撑层,形成一反射器支柱,该反射器支柱机械性地联结至该支撑框架及该反射器,该反射器支柱是可移动的,使得该反射器可以实质上垂直于该第一基底表面移动。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一基底表面具有一{110}结晶方向。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一基底表面具有一{100}结晶方向。4.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括在该第一及第二基底表面上形成校准标记。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在该第一基底表面上形成一反射器支撑层包括:在该第一基底表面上形成一二氧化矽层;以及在该二氧化矽层上形成一基础层。6.如申请专利范围第5项所述之方法,更包括在该基础层上形成一绝缘层。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该绝缘层包括氮化矽。8.如申请专利范围第5项所述之方法,其中形成一基础层包括在该二氧化矽层上形成一保护层以及在该保护层上形成一多晶矽层。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该保护层包括氮化矽。10.如申请专利范围第5项所述之方法,其中形成一基础层包括在该二氧化矽层上形成一多晶矽层。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中藉着由该第二基底表面蚀刻该基底形成一支撑框架及至少一个反射器包括:在该第二基底表面上形成一抗蚀层;图案化该第二基底表面上之该抗蚀层,藉以选择性地暴露该第二基底表面之一第一区域以及保留在该第二基底表面之一第二区域之该抗蚀层;蚀刻该基底由该第二基底表面之该第一区域至该反射器支撑层,因而形成该支撑框架之侧壁以及至少一个该反射器之反射表面;以及由该第二基底表面之该第二区域移除该抗蚀层。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中由该第二基底表面之该第一区域蚀刻该基底包括进行一深度反应离子蚀刻。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中由该第二基底表面之该第一区域蚀刻该基底更包括进行一各向异性湿式蚀刻,接着该深度反应离子蚀刻。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该抗蚀层包括二氧化矽。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该反射器支撑层包括在该第一基底表面上之一二氧化矽层以及在该二氧化矽层上之一基础层,以及其中形成一支撑框架及至少一个反射器更包括由该反射器支撑层之对应于该基底之第一区域之部分之二氧化矽层移除。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其中形成一支撑框架及至少一个反射器更包括在该反射器之反射表面上形成一金属层。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该金属层包括铝。18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中形成一金属层包括在该反射器之反射表面上形成一黏着层以及在该黏着层上形成一金层。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该黏着层包括铬。20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该黏着层包括钛。21.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在该反射器支撑层上形成至少一个电导管包括:在该反射器支撑层上形成一第一金属层;图案化该第一金属层,因而形成该电导管之一第一部分;在该第一金属层形成一绝缘层;图案化该绝缘层,因而形成至少一个贯穿孔至该电导管之该第一部分;在该绝缘层上形成一第二金属层;图案化该第二金属层,因而形成该电导管之一第二部分,该电导管之该第二部分经由该绝缘层之该贯穿孔电性地耦接至该电导管之该第一部分。22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中该第一金属层及该第二金属层个别包括一铬层及一金层。23.如申请专利范围第21项所述之方法,其中该绝缘层包括二氧化矽。24.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电导管之该第一及第二部分个别具有一通常地螺旋构造。25.一种至少部分截断沿光束途径传导之光束的模组之制造方法,该方法包括:提供包括单晶矽之一基底,一第一基底表面,一第二基底表面,及在该第一基底表面下之一蚀刻停止层;提供包括该蚀刻停止层之一反射器支撑层;藉着蚀刻该基底由该第二基底表面至该蚀刻停止层,形成一支撑框架及至少一个反射器;在该反射器支撑层上形成至少一个电导管;以及藉着由该第一基底表面蚀刻该反射器支撑层,形成一反射器支柱,该反射器支柱机械性地联结至该支撑框架及该反射器,该反射器支柱是可移动的,使得该反射器可以实质上垂直于该第一基底表面移动。26.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该蚀刻停止层包括一硼扩散层。27.如申请专利范围第26项所述之方法,其中提供该反射器支撑层更包括在该第一基底表面上形成一取向附生的(epitaxial)矽层。28.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该基底包括一绝缘体上矽晶圆,以及该蚀刻停止层包括二氧化矽。29.如申请专利范围第25项所述之方法,其中提供该反射器支撑层更包括在该第一基底表面上形成一绝缘层。30.如申请专利范围第29项所述之方法,其中该绝缘层包括氮化矽。31.一种于基底上制造装置之方法,该装置包括至少一个脆弱构件,该方法包括:提供该基底;在该基底上形成该装置;藉由在一蒸发阶段沉积一聚合材料在该基底上,形成一共形层;将该基底切成小方块以及分开成复数个晶片,至少一个晶片包含该装置,该共形层对该装置之该脆弱构件提供结构上的支撑;以及在将该基底切成小方块分开成复数个晶片之后,由该装置移除该共形层。32.如申请专利范围第31项所述之方法,其中该装置系一微电机械系统装置。33.如申请专利范围第31项所述之方法,其中该聚合材料系对位二甲苯单体。34.一种至少部分截断沿光束途径传导之光束的模组之制造方法,该方法包括:提供一单晶矽基底,其具有一第一基底表面及一第二基底表面;在该第一基底表面上形成一反射器支撑层;藉由蚀刻该基底,形成一支撑框架及至少一个反射器;在该反射器支撑层上形成至少一个电导管;藉由在一蒸发阶段沉积一聚合材料在该基底上,形成一共形层;藉由蚀刻该反射器支撑层形成一反射器支柱,该反射器支柱机械性地联结至该支撑框架及该反射器,该反射器支柱是可移动的,使得该反射器可以实质上垂直于该第一基底表面移动。35.如申请专利范围第34项所述之方法,其中形成该反射器支柱是接在形成该共形层之后进行的,藉此该共形层在该反射器支撑层的蚀刻时期保护该反射器。36.如申请专利范围第34项所述之方法,更包括:将该基底切成小方块以及分开成复数个晶片;以及在将该基底切成小方块之后移除该共形层,藉此该共形层在该基底之切块时期对该装置之该反射器支柱提供结构上的支撑。37.如申请专利范围第34项所述之方法,其中该聚合材料系对位二甲苯单体。图式简单说明:第1图及第2图概要地描绘依照本发明的实施例的装置,其用以至少部分地截断沿着复数个个别的光束途径传导的复数个光束。第3图及第4图概要地描绘依照本发明的实施例的模组,其用以至少部分地截断沿着一光束途径传导之一光束。第5A图及第5B图概要地描绘该装置之一实施例,于其中只准许衰减而非切换。第6图概要地描绘一模组,其包括一补偿结构。第7A图概要地描绘具有弯曲构造的悬臂,其将摺板联结至基底。第7B图及第7C图概要地描绘两种型式的扭转弹簧,其将摺板联结至基底。第8图概要地描绘反射器沿着实质上横卧在反射器平面的弧形途径的移动。第9图概要地描绘一反射器驱动器,其包括一磁致动器。第10图概要地描绘一反射器驱动器,其包括一热致动器。第11A图概要地描绘一热致动器,其包括一第一材料及一第二材料。第11B图概要地描绘热致动器依据加热的位移,于其中第一材料的膨胀的热系数低于第二材料。第11C图概要地描绘热致动器依据加热的位移,于其中第一材料的膨胀的热系数高于第二材料。第12图概要地描绘该装置的一个实施例,其包括一(55)阵列,被组态成将至少一个光束自一光束途径切换至一第二光束途径。第13图概要地描绘该装置的一个实施例,其可以作为光学相加/去除多工器(Opitcal Add/Drop Multiplexer,简称OADM),具有五个光束的最大値。第14图概要地描绘一实施例,于其中反射器被组态成传输一部分的进入的光束,因而只切换该光束的剩下部分。第15A图概要地描绘一实施例,其具有一模组,其包括一补偿结构,其包括一第二反射器表面。第15B图概要地描绘一实施例,于其中该第二反射器表面包括该反射器的表面,其相对于该反射器表面。第16图概要地描绘一实施例,其中每一模组包括一第二反射器表面,被结合传送/接收对来使用。第17图概要地描绘一实施例,于其中可以施加选择的大小的电流至反射器驱动器来将反射器置于选择的第一位置,藉以衰减光束。第18图是对应于制造用以至少部分地截断沿着光束途径传导的光束的模组的方法的流程图。第19A图至第19K图概要地描绘使用该方法的一个实施例的模组的形成。第20图是用以在第一基底表面上形成反射器支撑层的一个实施例的流程图。第21图是用以在二氧化矽层上形成基础层的一个实施例的流程图。第22图是用以形成支撑框架及至少一个反射器的一个实施例的流程图。第23图是用以在反射器支撑层上形成电导管的一个实施例的流程图。第24图概要地描绘依照本发明的实施例的用以形成共形层的示范性的沉积系统。第25图是用以沉积聚对二甲苯在基底上的一个实施例的流程图。第26A图概要地描绘形成共形层的一个实施例,其在形成支撑框架、反射器、及电导管之后,但是在形成反射器支柱之前。第26B图概要地描绘在形成反射器支柱之后的共形层的一个实施例。 |
