| 主权项 |
1.一种磁透镜设备,其为带电粒子射束提供一磁偏转电场,包含:一聚焦透镜装置(15.17),用以提供一实质上相对于该组件之对称轴(19)旋转的磁场,并作用于横贯该磁场的射束如一具光轴的聚焦透镜(7),及一轴移动装置(31.33),用以产生校正磁场,其叠置于由聚焦透镜装置(15.17)所提供的磁场上方,并作用于射束上,如此使得光轴可平行于该组件的对称轴(19)而移转,其中该轴移动装置(29)包含一第一组(53)的轴间隔环(55),其相对于对称轴呈同心配置,且由实质上不具导电性而具高磁导率的材料制成,其中至少一轴移动线圈(31.33)提供多数电流导体绕组,用以产生校正磁场,且其中该轴移动线圈(31.33)的电流导体绕组衔接于第一环组(53)至少其中一环(55)四周。2.如申请专利范围第1项的磁透镜设备,其中横贯对称轴之校正磁场的一成分,具有一沿着该对称轴的场强度分布,其与平行于该磁场对称轴之成分的第一衍生物成比例,该磁场是由沿着对称轴的聚焦透镜所产生。3.如申请专利范围第1项的磁透镜设备,其中聚焦透镜装置(15.17)包含二个面向对称轴(35)的轴间隔磁极末端(35),且其中轴移动装置(25)包含轴移动线圈(31.33),其连结至每一磁极末端(35),并配置于磁极末端与对称轴之间。4.如申请专利范围第3项的磁透镜设备,其中单一轴移动线圈(31.33)连结至每一磁极末端(35)。5.如申请专利范围第3项的磁透镜设备,其中该轴移动线圈(31.33)衔接于第一环组(53)一或更多的环(55)四周。6.如申请专利范围第1项的磁透镜设备,其中轴间隔环之第二环组(49)的多数环(51),相对于对称轴呈同心状配置,并实质上由不具导电性而具高磁导率的材料制造,该第二环组(49)位于第一环组(53)的环(55)的径向外侧,该处周围并衔接具有轴移动线圈(31.33)。7.如申请专利范围第1项的磁透镜设备,进一步包含至少一具有多数电流导体绕组的像散校正线圈(37),其衔接至少第一或/与第二环组(53.49)的其中一环(55.51)四周。8.如申请专利范围第7项的磁透镜设备,其中在该像散校正线圈(37)与对称轴之间,提供具有一动态聚焦线圈(39)。9.如申请专利范围第1项的磁透镜设备,其中在第一环组(53)的环(55)的径向内侧,提供具有一动态聚焦线圈(39)。10.一种偏转设备,用来将第一平面(9)上的带电粒子射束的第一横截面(11),粒子-光学成像至第二平面(13)上的第二横截面,其包含:一双合磁透镜(3),其包含位于第一平面与第二平面之间的第一聚焦透镜(5),并包含位于第一聚焦透镜(5)与第二平面(13)之间的第二聚焦透镜(7),其中第一及第二聚焦透镜被置于一共同的对称轴(19)上,其中该双合透镜(3)的一对称平面(21)位于第一与第二聚焦透镜之间,其中第一平面(9)与对称平面(21)之间的距离为第一聚焦透镜(5)之焦距(f)的二倍,且其中第二平面(13)与对称平面(21)之间的距离为第二聚焦透镜(7)之焦距(f)的二倍,以及一射束移动设备(25),其位于第一与第二聚焦透镜之间,并为射束所横贯,用以在射束进入该射束移动设备(25)再由该处射出的期间,提供一可调整式的轴移位M,其中第一聚焦透镜或/与第二聚焦透镜包含一轴移动装置,用以提供一校正磁场,该校正磁场叠置于聚焦透镜(5.7)的磁场上方,并作用于射束上,如此使得聚焦透镜的光轴可平行于对称轴(19)而移动。11.如申请专利范围第10项的偏转设备,其中射束移动设备(25)包含二个偏转装置(41.43),其依对称平面而呈对称配置,每一偏转装置皆提供一偏转磁场。12.如申请专利范围第11项的偏转设备,其中该偏转磁场是由包含多数电流导体绕组的偏转线圈(41)所产生,并衔接于依对称轴(19)呈同心配置的至少一环(61)的四周,其是由实质上不具导电性而具高磁导率的材料所制成。13.如申请专利范围第12项的偏转设备,其中提供一相对于对称轴(19)呈同心配置的第三组(59)轴间隔环(61),该环由实质上不具导电性而具高磁导率的材料制成,其中偏转线圈(41)的电流导体绕组衔接于第三环组(59)至少其中一环(61)周围。14.如申请专利范围第13项的偏转设备,其中一磁场遮蔽被提供置于第三环组(59)的环(61)的径向外侧,该处周围并环绕衔接偏转线圈(41),此磁场遮蔽包含一实质上不具导电性而具有高磁导率的材料。15.如申请专利范围第14项的偏转设备,其中该磁场遮蔽包含一轴状连续圆筒或数个第四环组(65)的轴间隔环(63),其相对于对称轴(19)而呈同心配置,并由实质上不具导电性而具高磁导率的材料所制成。16.如申请专利范围第10项或第11项或第12项或第13项或第14项或第15项其中一项的偏转设备,其中第一或/与第二聚焦透镜(5.7)包含一磁透镜设备,该磁透镜设备包含:一聚焦透镜装置(15.17),用以提供一实质上相对于该组件之对称轴(19)旋转的磁场,并作用于横贯该磁场的射束如一具光轴的聚焦透镜(7),及一轴移动装置(31.33),用以产生校正磁场,其叠置于由聚焦透镜装置(15.17)所提供的磁场上方,并作用于射束上,如此使得光轴可平行于该组件的对称轴(19)而移转,其中该轴移动装置(29)包含一第一组(53)的轴间隔环(55),其相对于对称轴呈同心配置,且由实质上不具导电性而具高磁导率的材料制成,其中至少一轴移动线圈(31.33)提供多数电流导体绕组,用以产生校正磁场,且其中该轴移动线圈(31.33)的电流导体绕组衔接于第一环组(53)至少其中一环(55)四周。17.如申请专利范围第16项的偏转设备,其中横贯对称轴之校正磁场的一成分,具有一沿着该对称轴的场强度分布,其与平行于该磁场对称轴之成分的第一衍生物成比例,该磁场是由沿着对称轴的聚焦透镜所产生。18.如申请专利范围第16项的偏转设备,其中聚焦透镜装置(15.17)包含二个面向对称轴(35)的轴间隔磁极末端(35),且其中轴移动装置(25)包含轴移动线圈(31.33),其连结至每一磁极末端(35),并配置于磁极末端与对称轴之间。19.如申请专利范围第18项的偏转设备,其中单一轴移动线圈(31.33)连结至每一磁极末端(35)。20.如申请专利范围第18项的偏转设备,其中该轴移动线圈(31.33)衔接于第一环组(53)一或更多的环(55)四周。21.如申请专利范围第16项的偏转设备,其中轴间隔环之第二环组(49)的多数环(51),相对于对称轴呈同心状配置,并实质上由不具导电性而具高磁导率的材料制造,该第二环组(49)位于第一环组(53)的环(55)的径向外侧,该处周围并衔接具有轴移动线圈(31.33)。22.如申请专利范围第16项的偏转设备,进一步包含至少一具有多数电流导体绕组的像散校正线圈(37),其衔接至少第一或/与第二环组(53.49)的其中一环(55.51)四周。23.一种投射系统,用以利用带电粒子射束而将光罩上的模型图案转映至粒子感应基质上,此系统包含:一带电粒子源,一射束成形孔,用以形成粒子射束的横截面,一第一粒子-光学成像仪器,用以将射束成形孔成像至光罩上,一第二粒子-光学成像仪器,用以将光罩成像至该基质上,其中第一或/与第二粒子-光学成像仪器包含一磁透镜设备,该磁透镜设备包含:一聚焦透镜装置(15.17),用以提供一实质上相对于该组件之对称轴(19)旋转的磁场,并作用于横贯该磁场的射束如一具光轴的聚焦透镜(7),及一轴移动装置(31.33),用以产生校正磁场,其叠置于由聚焦透镜装置(15.17)所提供的磁场上方,并作用于射束上,如此使得光轴可平行于该组件的对称轴(19)而移转,其中该轴移动装置(29)包含一第一组(53)的轴间隔环(55),其相对于对称轴呈同心配置,且由实质上不具导电性而具高磁导率的材料制成,其中至少一轴移动线圈(31.33)提供多数电流导体绕组,用以产生校正磁场,且其中该轴移动线圈(31.33)的电流导体绕组衔接于第一环组(53)至少其中一环(55)四周。24.如申请专利范围第23项的投射系统,其中横贯对称轴之校正磁场的一成分,具有一沿着该对称轴的场强度分布,其与平行于该磁场对称轴之成分的第一衍生物成比例,该磁场是由沿着对称轴的聚焦透镜所产生。25.如申请专利范围第23项的投射系统,其中聚焦透镜装置(15.17)包含二个面向对称轴(35)的轴间隔磁极末端(35),且其中轴移动装置(25)包含轴移动线圈(31.33),其连结至每一磁极末端(35),并配置于磁极末端与对称轴之间。26.如申请专利范围第25项的投射系统,其中单一轴移动线圈(31.33)连结至每一磁极末端(35)。27.如申请专利范围第25项的投射系统,其中该轴移动线圈(31.33)衔接于第一环组(53)一或更多的环(55)四周。28.如申请专利范围第23项的投射系统,其中轴间隔环之第二环组(49)的多数环(51),相对于对称轴呈同心状配置,并实质上由不具导电性而具高磁导率的材料制造,该第二环组(49)位于第一环组(53)的环(55)的径向外侧,该处周围并衔接具有轴移动线圈(31.33)。29.如申请专利范围第23项的投射系统,进一步包含至少一具有多数电流导体绕组的像散校正线圈(37),其衔接至少第一或/与第二环组(53.49)的其中一环(55.51)四周。30.如申请专利范围第29项的投射系统,其中在该像散校正线圈(37)与对称轴之间,提供具有一动态聚焦线圈(39)。31.如申请专利范围第23项的投射系统,其中在第一环组(53)的环(55)的径向内侧,提供具有一动态聚焦线圈(39)。32.一种投射系统,用以利用带电粒子射束而将光罩上的模型图案转映至粒子感应基质上,此系统包含:一带电粒子源,一射束成形孔,以形成粒子射束的横截面,一第一粒子-光学成像仪器,用以将射束成形孔成像至光罩上,一第二粒子-光学成像仪器,用以将光罩成像至该基质上,其中第一或/与第二粒子-光学成像仪器包含一偏转设备,该偏转设备包含:一双合磁透镜(3),其包含位于第一平面与第二平面之间的第一聚焦透镜(5),并包含位于第一聚焦透镜(5)与第二平面(13)之间的第二聚焦透镜(7),其中第一及第二聚焦透镜被置于一共同的对称轴(19)上,其中该双合透镜(3)的一对称平面(21)位于第一与第二聚焦透镜之间,其中第一平面(9)与对称平面(21)之间的距离为第一聚焦透镜(5)之焦距(f)的二倍,且其中第二平面(13)与对称平面(21)之间的距离为第二聚焦透镜(7)之焦距(f)的二倍,以及一射束移动设备(25),其位于第一与第二聚焦透镜之间,并为射束所横贯,用以在射束进入该射束移动设备(25)再由该处射出的期间,提供一可调整式的轴移位M,其中第一聚焦透镜或/与第二聚焦透镜包含一轴移动装置,用以提供一校正磁场,该校正磁场叠置于聚焦透镜(5.7)的磁场上方,并作用于射束上,如此使得聚焦透镜的光轴可平行于对称轴(19)而移动。33.如申请专利范围第32项的投射系统,其中射束移动设备(25)包含二个偏转装置(41.43),其依对称平面而呈对称配置,每一偏转装置皆提供一偏转磁场。34.如申请专利范围第33项的投射系统,其中该偏转磁场是由包含多数电流导体绕组的偏转线圈(41)所产生,并衔接于依对称轴(19)呈同心配置的至少一环(61)的四周,其是由实质上不具导电性而具高磁导率的材料所制成。35.如申请专利范围第34项的投射系统,其中提供一相对于对称轴(19)呈同心配置的第三组(59)轴间隔环(61),该环由实质上不具导电性而具高磁导率的材料制成,其中偏转线圈(41)的电流导体绕组衔接于第三环组(59)至少其中一环(61)周围。36.如申请专利范围第35项的投射系统,其中一磁场遮蔽被提供置于第三环组(59)的环(61)的径向外侧,该处周围并环绕衔接偏转线圈(41),此磁场遮蔽包含一实质上不具导电性而具有高磁导率的材料。37.如申请专利范围第36项的投射系统,其中该磁场遮蔽包含一轴状连续圆筒或数个第四环组(65)的轴间隔环(63),其相对于对称轴(19)而呈同心配置,并由实质上不具导电性而具高磁导率的材料所制成。38.如申请专利范围第32项的投射系统,其中该射束成形孔位于双合磁透镜的第一平面,且光罩位于双合磁透镜的第二平面。39.如申请专利范围第32项的投射系统,其中该光罩位于双合磁透镜的第一平面,且基质位于双合磁透镜的第二平面。40.一种电子显微镜检测系统,其包含:一样本支承座,用以承载接受检测的样本,一电子源,一聚焦组件,用以将从电子源放射出的电子聚焦至样本上,一探测器,由于聚焦至样本上之电子的交互作用,其可用来检测由样本射出的电子,其中聚焦组件包含一磁透镜设备,该磁透镜设备包含:一聚焦透镜装置(15.17),用以提供一实质上相对于该组件之对称轴(19)旋转的磁场,并作用于横贯该磁场的射束如一具光轴的聚焦透镜(7),及一轴移动装置(31.33),用以产生校正磁场,其叠置于由聚焦透镜装置(15.17)所提供的磁场上方,并作用于射束上,如此使得光轴可平行于该组件的对称轴(19)而移转,其中该轴移动装置(29)包含一第一组(53)的轴间隔环(55),其相对于对称轴呈同心配置,且由实质上不具导电性而具高磁导率的材料制成,其中至少一轴移动线圈(31.33)提供多数电流导体绕组,用以产生校正磁场,且其中该轴移动线圈(31.33)的电流导体绕组衔接于第一环组(53)至少其中一环(55)四周。41.如申请专利范围第40项的电子显微镜检测系统,其中横贯对称轴之校正磁场的一成分,具有一沿着该对称轴的场强度分布,其与平行于该磁场对称轴之成分的第一衍生物成比例,该磁场是由沿着对称轴的聚焦透镜所产生。42.如申请专利范围第40项的电子显微镜检测系统,其中聚焦透镜装置(15.17)包含二个面向对称轴(35)的轴间隔磁极末端(35),且其中轴移动装置(25)包含轴移动线圈(31.33),其连结至每一磁极末端(35),并配置于磁极末端与对称轴之间。43.如申请专利范围第42项的电子显微镜检测系统,其中单一轴移动线圈(31.33)连结至每一磁极末端(35)。44.如申请专利范围第42项的电子显微镜检测系统,其中该轴移动线圈(31.33)衔接于第一环组(53)一或更多的环(55)四周。45.如申请专利范围第40项的电子显微镜检测系统,其中轴间隔环之第二环组(49)的多数环(51),相对于对称轴呈同心状配置,并实质上由不具导电性而具高磁导率的材料制造,该第二环组(49)位于第一环组(53)的环(55)的径向外侧,该处周围并衔接具有轴移动线圈(31.33)。46.如申请专利范围第40项的电子显微镜检测系统,进一步包含至少一具有多数电流导体绕组的像散校正线圈(37),其衔接至少第一或/与第二环组(53.49)的其中一环(55.51)四周。47.如申请专利范围第46项的电子显微镜检测系统,其中在该像散校正线圈(37)与对称轴之间,提供具有一动态聚焦线圈(39)。48.如申请专利范围第40项的电子显微镜检测系统,其中在第一环组(53)的环(55)的径向内侧,提供具有一动态聚焦线圈(39)。49.一种电子显微镜检测系统,其包含:一样本支承座,用以承载接受检测的样本,一电子源,一聚焦组件,用以将从电子源放射出的电子聚焦至样本上,一探测器,由于聚焦至样本之电子的交互作用,其可用来检测从样本射出的电子,其中聚焦组件包含一偏转设备,该偏转设备包含:一双合磁透镜(3),其包含位于第一平面与第二平面之间的第一聚焦透镜(5),并包含位于第一聚焦透镜(5)与第二平面(13)之间的第二聚焦透镜(7),其中第一及第二聚焦透镜被置于一共同的对称轴(19)上,其中该双合透镜(3)的一对称平面(21)位于第一与第二聚焦透镜之间,其中第一平面(9)与对称平面(21)之间的距离为第一聚焦透镜(5)之焦距(f)的二倍,且其中第二平面(13)与对称平面(21)之间的距离为第二聚焦透镜(7)之焦距(f)的二倍,以及一射束移动设备(25),其位于第一与第二聚焦透镜之间,并为射束所横贯,用以在射束进入该射束移动设备(25)再由该处射出的期间,提供一可调整式的轴移位M,其中第一聚焦透镜或/与第二聚焦透镜包含一轴移动装置,用以提供一校正磁场,该校正磁场叠置于聚焦透镜(5.7)的磁场上方,并作用于射束上,如此使得聚焦透镜的光轴可平行于对称轴(19)而移动。50.如申请专利范围第49项的电子显微镜检测系统,其中射束移动设备(25)包含二个偏转装置(41.43),其依对称平面而呈对称配置,每一偏转装置皆提供一偏转磁场。51.如申请专利范围第50项的电子显微镜检测系统,其中该偏转磁场是由包含多数电流导体绕组的偏转线圈(41)所产生,并衔接于依对称轴(19)呈同心配置的至少一环(61)的四周,其是由实质上不具导电性而具高磁导率的材料所制成。52.如申请专利范围第51项的电子显微镜检测系统,其中提供一相对于对称轴(19)呈同心配置的第三组(59)轴间隔环(61),该环由实质上不具导电性而具高磁导率的材料制成,其中偏转线圈(41)的电流导体绕组衔接于第三环组(59)至少其中一环(61)周围。53.如申请专利范围第52项的电子显微镜检测系统,其中一磁场遮蔽被提供置于第三环组(59)的环(61)的径向外侧,该处周围并环绕衔接偏转线圈(41),此磁场遮蔽包含一实质上不具导电性而具有高磁导率的材料。54.如申请专利范围第53项的电子显微镜检测系统,其中该磁场遮蔽包含一轴状连续圆筒或数个第四环组(65)的轴间隔环(63),其相对于对称轴(19)而呈同心配置,并由实质上不具导电性而具高磁导率的材料所制成。55.一种电子显微镜检测系统,其包含:一样本支承座,用以承载接受检测的样本,一电子源,其以电子照射样本,一位置感应探测器,一透镜组件,由于聚焦至样本之电子的交互作用,其可用来将从样本射出的电子成像至位置感应探测器,其中该透镜组件包含一磁透镜设备,该磁透镜设备包含:一聚焦透镜装置(15.17),用以提供一实质上相对于该组件之对称轴(19)旋转的磁场,并作用于横贯该磁场的射束如一具光轴的聚焦透镜(7),及一轴移动装置(31.33),用以产生校正磁场,其叠置于由聚焦透镜装置(15.17)所提供的磁场上方,并作用于射束上,如此使得光轴可平行于该组件的对称轴(19)而移转,其中该轴移动装置(29)包含一第一组(53)的轴间隔环(55),其相对于对称轴呈同心配置,且由实质上不具导电性而具高磁导率的材料制成,其中至少一轴移动线圈(31.33)提供多数电流导体绕组,用以产生校正磁场,且其中该轴移动线圈(31.33)的电流导体绕组衔接于第一环组(53)至少其中一环(55)四周。56.如申请专利范围第55项的电子显微镜检测系统,其中横贯对称轴之校正磁场的一成分,具有一沿着该对称轴的场强度分布,其与平行于该磁场对称轴之成分的第一衍生物成比例,该磁场是由沿着对称轴的聚焦透镜所产生。57.如申请专利范围第55项的电子显微镜检测系统,其中聚焦透镜装置(15.17)包含二个面向对称轴(35)的轴间隔磁极末端(35),且其中轴移动装置(25)包含轴移动线圈(31.33),其连结至每一磁极末端(35),并配置于磁极末端与对称轴之间。58.如申请专利范围第57项的电子显微镜检测系统,其中单一轴移动线圈(31.33)连结至每一磁极末端(35)。59.如申请专利范围第57项的电子显微镜检测系统,其中该轴移动线圈(31.33)衔接于第一环组(53)一或更多的环(55)四周。60.如申请专利范围第55项的电子显微镜检测系统,其中轴间隔环之第二环组(49)的多数环(51),相对于对称轴呈同心状配置,并实质上由不具导电性而具高磁导率的材料制造,该第二环组(49)位于第一环组(53)的环(55)的径向外侧,该处周围并衔接具有轴移动线圈(31.33)。61.如申请专利范围第55项的电子显微镜检测系统,进一步包含至少一具有多数电流导体绕组的像散校正线圈(37),其衔接至少第一或/与第二环组(53.49)的其中一环(55.51)四周。62.如申请专利范围第61项的电子显微镜检测系统,其中在该像散校正线圈(37)与对称轴之间,提供具有一动态聚焦线圈(39)。63.如申请专利范围第55项的电子显微镜检测系统,其中在第一环组(53)的环(55)的径向内侧,提供具有一动态聚焦线圈(39)。64.一种电子显微镜检测系统,其包含:一样本支承座,用以承载接受检测的样本,一电子源,其以电子照射样本,一位置感应探测器,一透镜组件,由于聚焦至样本之电子的交互作用,其可用来将从样本射出的电子成像至位置感应探测器,其中该透镜组件包含一偏转设备,该偏转设备包含:一双合磁透镜(3),其包含位于第一平面与第二平面之间的第一聚焦透镜(5),并包含位于第一聚焦透镜(5)与第二平面(13)之间的第二聚焦透镜(7),其中第一及第二聚焦透镜被置于一共同的对称轴(19)上,其中该双合透镜(3)的一对称平面(21)位于第一与第二聚焦透镜之间,其中第一平面(9)与对称平面(21)之间的距离为第一聚焦透镜(5)之焦距(f)的二倍,且其中第二平面(13)与对称平面(21)之间的距离为第二聚焦透镜(7)之焦距(f)的二倍,以及一射束移动设备(25),其位于第一与第二聚焦透镜之间,并为射束所横贯,用以在射束进入该射束移动设备(25)再由该处射出的期间,提供一可调整式的轴移位M,其中第一聚焦透镜或/与第二聚焦透镜包含一轴移动装置,用以提供一校正磁场,该校正磁场叠置于聚焦透镜(5.7)的磁场上方,并作用于射束上,如此使得聚焦透镜的光轴可平行于对称轴(19)而移动。65.如申请专利范围第64项的电子显微镜检测系统,其中射束移动设备(25)包含二个偏转装置(41.43),其依对称平面而呈对称配置,每一偏转装置皆提供一偏转磁场。66.如申请专利范围第65项的电子显微镜检测系统,其中该偏转磁场是由包含多数电流导体绕组的偏转线圈(41)所产生,并衔接于依对称轴(19)呈同心配置的至少一环(61)的四周,其是由实质上不具导电性而具高磁导率的材料所制成。67.如申请专利范围第66项的电子显微镜检测系统,其中提供一相对于对称轴(19)呈同心配置的第三组(59)轴间隔环(61),该环由实质上不具导电性而具高磁导率的材料制成,其中偏转线圈(41)的电流导体绕组衔接于第三环组(59)至少其中一环(61)周围。68.如申请专利范围第67项的电子显微镜检测系统,其中一磁场遮蔽被提供置于第三环组(59)的环(61)的径向外侧,该处周围并环绕衔接偏转线圈(41),此磁场遮蔽包含一实质上不具导电性而具有高磁导率的材料。69.如申请专利范围第68项的电子显微镜检测系统,其中该磁场遮蔽包含一轴状连续圆筒或数个第四环组(65)的轴间隔环(63),其相对于对称轴(19)而呈同心配置,并由实质上不具导电性而具高磁导率的材料所制成。图式简单说明:第一图为根据发明而概略描述之偏转设备的结构,同时具有一光束路径延伸其中,第二图为概略描述包含于第一图偏转设备中的磁透镜设备,第三a、三b、三c图为显示于第二图中不同类型的轴移动设备,第四a、四b、四c图为显示于第二图中铁氧磁体环四周的轴移动线圈上的电流导体绕组,第五图说明由第一图中偏转设备的聚焦透镜所产生之磁场的轴成分的场强度分布,第六图为第一图中用来驱动各式线圈的偏转设备的功能图,第七图为概要描述第一图的偏转设备,其包括射束成形孔的照明图解,第八图为概要描述位于第一图磁透镜之间的射束成形设备的细节部,第九图为概要描述根据发明偏转设备的进一步实施例,同时具有一射束路径延伸其中,第十图为概要描述结合至根据本发明偏转设备的进一步实施例的电子显微镜的结构,第十一图同样概要描述结合至根据本发明偏转设备的进一步实施例的电子显微镜的结构,及第十二图显示又一结合至根据本发明偏转设备的实施例的电子显微镜。 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