| 主权项 |
1.一种钟摆式微型惯性感测元结构,包括:一摆锤,作为一质量块;一摆杆,其一端点系固定在一基板上,另一端点则连接该摆锤;以及至少二固定电极,对称设置于该摆锤之周围,且该固定电极与该摆锤之间具有一起始的间距。2.如申请专利范围第1项所述之钟摆式微型惯性感测元结构,其中该摆锤及该摆杆之材质系为镍或镍合金。3.如申请专利范围第1项所述之钟摆式微型惯性感测元结构,其中该摆锤及该摆杆系利用深刻模造(LIGA)技术制作完成者。4.一种钟摆式微型惯性感测元之制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基板,并在该基板之上下表面形成已定义之图案化介电层,且其具有蚀刻开窗;在该基板之下表面沈积一金属层,并在该基板之上表面形成一电铸起始层;形成一已定义之图案化光阻于该基板上表面;以该图案化光阻为罩幕,蚀刻该基板而露出该金属层,以形成穿孔;去除该图案化光阻,并行成一厚膜于该基板上表面,进而形成已定义之厚膜结构;进行电铸制程,使该穿孔内系成长出镍柱,并满出该穿孔而使该镍金属填满该厚膜结构所形成的模具中,以作为钟摆及固定电极;去除该厚膜结构,并同时去除露出之电铸起始层,以作为异方性蚀刻窗;以及以异方性蚀刻去除部份该基板而形成一V型槽。5.如申请专利范围第4项所述之钟摆式微型惯性感测元之制造方法,其中,该介电层系由氧化物或氮化物所构成者。6.如申请专利范围第4项所述之钟摆式微型惯性感测元之制造方法,其中,该已定义之图案化介电层系以一图案化光阻罩幕所形成者。7.如申请专利范围第4项所述之钟摆式微型惯性感测元之制造方法,其中,该金属层系由镍或镍合金所构成者。8.如申请专利范围第4项所述之钟摆式微型惯性感测元之制造方法,其中,该电铸起始层之材质系为镍/钛或者镍/铬二层金属结构,且该钛及铬系作为附着层。9.如申请专利范围第4项所述之钟摆式微型惯性感测元之制造方法,其中,形成该穿孔之方式系利用感应耦合电浆反应性离子蚀刻技术(ICP RIE)所完成者。10.如申请专利范围第4项所述之钟摆式微型惯性感测元之制造方法,其中,该厚膜系为厚光阻材质。11.如申请专利范围第4项所述之钟摆式微型惯性感测元之制造方法,其中,该已定义之厚膜结构系以一图案化光阻为罩幕蚀刻该厚膜所形成者。12.如申请专利范围第4项所述之钟摆式微型惯性感测元之制造方法,其中,在电铸制程中,其系以氨基磺酸镍为电铸溶液进行电铸,以形成该镍柱及镍金属层。13.如申请专利范围第4项所述之钟摆式微型惯性感测元之制造方法,其中,该异方性蚀刻系使用高浓度之联胺作为蚀刻溶液。图式简单说明:第一A图为本发明之钟摆式微型惯性感测元的结构示意图。第一B图为本发明之惯性感测元受外界惯性作用产生的动作示意图。第二图为本发明之二维钟摆式微型惯性感测元结构的俯视图。第三A图至第三I图为本发明于制作钟摆式微型惯性感测元之各步骤构造剖视图。 |
