| 主权项 |
1.一种形成一瓶状沟槽的方法,该瓶状沟槽位于一基材中,包含下列步骤:(a)形成一沟槽于该基材之中,该沟槽具有一侧壁;(b)形成一第一介电层于该沟槽之侧壁上;(c)形成一第二介电层于该第一介电层上;(d)形成一多晶矽层于该第二介电层上;(e)形成一第三介电层于该多晶矽层上;(f)填充一光阻于部分之该沟槽中;(g)以该光阻为罩幕,移除部分该第三介电层,暴露部分该多晶矽层;(h)移除该光阻;(i)形成一第四介电层于暴露之该多晶矽层上;(j)以该第四介电层为罩幕,移除该第三介电层,暴露该多晶矽层;(k)以该第四介电层为罩幕,移除部分之该多晶矽层,暴露该第二介电层;(l)移除该第四介电层及暴露之该第二介电层,并分别暴露该多晶矽层及第一介电层;(m)移除该多晶矽层,暴露该第二介电层;(n)以该第二介电层为罩幕,移除部分之该第一介电层并暴露该沟槽之侧壁;(o)以该第二介电层为罩幕,氧化环绕该沟槽侧壁之基材,形成一氧化层;(p)移除该氧化层,形成该瓶状沟槽。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基材包含一矽基材。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第一介电层及该第三介电层包含一氧化矽层。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中步骤(b)中形成该第一介电层的方法包含下列步骤:沉积一氧化矽层于该沟槽之侧壁上。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中步骤(b)中形成第一介电层的方法包含下列步骤:氧化该基材之侧壁,以在该基材之侧壁表面形成一氧化物层。6.如申请专利范围第3项所述之方法,其中步骤(e)中形成该第三介电层的方法包含下列步骤:沉积一氧化矽层于该多晶矽层上。7.如申请专利范围第3项所述之方法,其中步骤(e)中形成该第三介电层的方法包含下列步骤:氧化部分之该多晶矽层,以在该多晶矽层表面形成一氧化矽层。8.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该第二介电层及该第四介电层包含一氮化矽层。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中于步骤(g)中进一部包含下列步骤:(q)形成该光阻于该沟槽中并填满该沟槽;(r)移除该光阻至一预定深度。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中于步骤(r)中移除该光阻的方法为乾蚀刻。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中于步骤(o)中,系以现场蒸气产生氧化法(In-Situ Steam Generation 0xidation,ISSG oxidation)氧化该基材,以形成该氧化层。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中于步骤(p)中,系以湿蚀刻方式移除该氧化层。13.一种形成一瓶状沟槽的方法,该瓶状沟槽位于一基材中,包含下列步骤:(a)形成一沟槽于该基材之中,该沟槽具有一侧壁;(b)氧化该基材之侧壁,以在该基材之侧壁表面形成一第一氧化物层;(c)形成一第一氮化物层于该第一氧化物层上;(d)形成一多晶矽层于该第一氮化物层上;(e)氧化该多晶矽层,以在该多晶矽层表面形成一第二氧化物层;(f)形成一光阻于该沟槽中并填满该沟槽;(g)移除该光阻至一预定深度;(h)以该光阻为罩幕,移除部份该第二氧化层,暴露该多晶矽层;(i)移除该光阻;(j)形成一第二氮化物层于暴露之该多晶矽层上;(k)以该第二氮化物层为罩幕,移除部分之该第二氧化物层,暴露该多晶矽层;(l)以该第二氮化物层为罩幕,移除部分之该多晶矽层,暴露该第一氮化物层;(m)移除该第二氮化物层及部分之该第一氮化物层,并分别暴露该多晶矽层及该第一氧化物层;(n)移除该多晶矽层,暴露该第一氮化物层;(o)以该第一氮化物层为罩幕,移除部分之该第一氧化物层,并暴露该沟槽之侧壁;(p)以该第一氮化物层为罩幕,氧化环绕该沟槽侧壁之基材,形成一第三氧化物层;(q)移除该第三氧化层,形成该瓶状沟槽。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中步骤(g)及步骤(i)中移除该光阻之方法系为乾蚀刻。15.如申请专利范围第13项所述之方法,其中步骤(k)中移除部分之该第二氧化层、步骤(o)移除部分之该第一氧化物层及步骤(q)中移除该第三氧化物层之方法系为湿蚀刻。16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中步骤(l)中移除部分之该多晶矽层,及步骤(n)中移除该多晶矽层之方法系为湿蚀刻。17.如申请专利范围第13项所述之方法,其中步骤(m)中移除该第二氮化物层及部分之该第一氮化物层的方法系为湿蚀刻。18.如申请专利范围第13项所述之方法,其中于步骤(p)中,系以现场蒸气产生氧化法(ISSG oxidation)氧化该基材,以形成该第三氧化层。图式简单说明:图1系揭露本发明中一沟槽形成于基材中之示意图。图2系揭露在沟槽的侧壁上依序沉积第一介电层、第二介电层、多晶矽层及第三介电层之示意图。图3系揭露填充部分光阻于沟槽中之示意图。图4系揭露移除部分第四介电层后之示意图。图5系揭露移除光阻后之示意图。图6系揭露于暴露之多晶矽层上形成第四介电层之示意图。图7系揭露移除部分多晶矽层后之示意图。图8系揭露移除第四介电层及部分之第二介电层后之示意图。图9系揭露移除多晶矽层后之示意图。图10系揭露移除部分之第一介电层后之示意图。图11系揭露氧化基材之侧壁以形成氧化层之示意图。图12系揭露移除氧化层后,形成瓶状沟槽之示意图。 |
