半导体装置

摘要

本发明系关于半导体装置，其诉求课题在于提供基板电流小而动作电压范围宽之DTMOS(动态临限值电压型金属氧化物半导体)。倾斜SiGe(锗化矽)-HDTMOS(高动态临限值电压型金属氧化物半导体)之半导体层30由上部矽膜12、矽缓冲层13、Sil-xGex膜14及矽间隙层15所构成。半导体层30中，在源极区域20a与汲极区域20b间之区域，设置高浓度之 n型矽本体区域22、n--矽区域23、矽间隙区域25及SiGe通道区域24。Sil-xGex膜14之Ge组成比x呈现由矽缓冲层13向矽间隙层15扩大之组成分布。在p型HDTMOS上，基板电流中电子电流成分会减少。

主权项

1.一种半导体装置,其系包含:半导体层,其系至少包含第一半导体膜;及第二半导体膜,其系能带隙异于上述第一半导体膜,而构成能带隙由邻接于上述第一半导体膜之部位向远离第一半导体膜之方向变小者;闸极绝缘膜,其系设于上述半导体层上者;闸极,其系设于上述闸极绝缘膜上者;源极.汲极区域,其系将第一导电型杂质导入上述半导体层中位于上述闸极两侧方之区域所形成者;通道区域,其系将第二导电型杂质导入上述第二半导体膜中位于上述源极.汲极区域间之区域所形成者;本体区域,其系将浓度高于上述通道区域之第二导电型杂质导入上述第二半导体膜中位于上述源极.汲极区域间之区域所形成者;及导体构件,其系用于施行上述闸极与上述本体区域之电性连接者。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述第一半导体膜由以Si1-x1-y1Gex1Cy1(0≦x1<1,0≦y1<1)表示其组成之半导体所构成,上述第二半导体膜由以Si1-x2-y2Gex2Cy2(0≦x2≦1,0≦y2≦1,x2+y2>0)表示其组成之半导体所构成者。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中上述第一半导体膜由矽所构成,上述第二半导体膜由以Si1-x3Gex3(0