| 主权项 |
1.一种掺杂氮的回火晶圆的制造方法,其特征为,对掺杂氮之矽单晶进行切削并研磨成晶圆,在氩、氢、或其混合气体环境下对其实施1100~1350℃的高温热处理前,先实施低于前述高温热处理之处理温度的温度下之滞留步骤,使前述高温热处理中会消失之尺寸的氧析出核成长为前述高温热处理中不会消失之尺寸,然后,再实施前述高温热处理。2.如申请专利范围第1项之掺杂氮的回火晶圆的制造方法,其中,低于前述高温热处理之处理温度的温度下之滞留步骤,是在昇温至前述高温热处理之处理温度的过程中实施。3.如申请专利范围第1项之掺杂氮的回火晶圆的制造方法,其中,低于前述高温热处理之处理温度的温度下之滞留步骤,为700~900℃之温度范围、60分钟以上之滞留步骤。4.如申请专利范围第2项之掺杂氮的回火晶圆的制造方法,其中,低于前述高温热处理之处理温度的温度下之滞留步骤,为700~900℃之温度范围、60分钟以上之滞留步骤。5.如申请专利范围第3项之掺杂氮的回火晶圆的制造方法,其中,前述700~900℃之温度范围、60分钟以上之滞留步骤,其700℃至900℃之昇温速度为3℃/min以下。6.如申请专利范围第4项之掺杂氮的回火晶圆的制造方法,其中,前述700~900℃之温度范围、60分钟以上之滞留步骤,其700℃至900℃之昇温速度为3℃/min以下。图式简单说明:图1是习知之回火方法图。图2是本发明之回火方法图。图3是以本发明回火方法实施热处理之晶圆、及以习知回火方法实施热处理之晶圆的BMD密度比较图。图4系氮浓度对氧析出核密度.尺寸之影响图。 |
