| 主权项 |
1.一种水平反应炉,系化合物半导体制造用,其特征在于,具备:反应炉炉体,系密闭容器形状;基座,其包含具有复数个用以收纳基板之基板收纳部的上面,前述上面系位于前述反应炉炉体内部;基座加热机构;V族气体供应机构,系自前述基座中央下部供应V族气体;Ⅲ族原料及运送气体供应机构,系前述基座上面中央从上部供应Ⅲ族原料及运送气体;以及反应气体排出机构,用以将反应炉内之反应气体排出至反应炉外。2.如申请专利范围第1项之水平反应炉,其中,前述Ⅲ族原料及运送气体供应机构之出口,系形成在对应前述V族气体供应机构之出口的位置。3.如申请专利范围第1或2项之水平反应炉,其中,进一步包含形成在前述V族气体供应机构之出口上部,将通过前述出口供应之V族气体的流动引导向半径方向外侧的V族气体流动引导部。4.如申请专利范围第1或2项之水平反应炉,其中,进一步包含形成在离开前述Ⅲ族原料及运送气体供应机构之出口位置,将通过前述出口供应之Ⅲ族原料及运送气体的流动引导向半径方向外侧的Ⅲ族原料及运送气体流动引导部。5.如申请专利范围第4项之水平反应炉,其中,前述Ⅲ族原料及运送气体流动引导部,系形成为其顶点朝向上侧之圆锥形。6.如申请专利范围第1或2项之水平反应炉,其中,前述反应炉炉体之上板,系形成为自其中心起越朝外侧其高度越低之方式倾斜。7.如申请专利范围第1或2项之水平反应炉,其中,进一步包含在V族气体到达基板前将具加热之V族气体加热机构。8.如申请专利范围第1或2项之水平反应炉,其中,进一步具有用以使前述基座旋转的基座旋转机构。9.如申请专利范围第1或2项之水平反应炉,其中,前述Ⅲ族原料及运送气体与前述V族气体,系在到达基板之前浑合而形成反应气体。图式简单说明:图1系本发明之范本炉的概略图。图2系具有复数个基板收纳部之基座的概略俯视图。 |
