发明名称 半导体装置之内部电源电压产生电路
摘要 一种半导体装置之内部电源电压产生电路包括一分压电路,此分压电路系由一单一场效电晶体及多个电阻器所构成而被结合入一半导体晶片中,此分压电路藉由单一场效电晶体之导通或非导通而将外部供应之电源电压分割成两种电压,所分割之电压当作内部电源电压而被供应至结合入半导体晶片中的多个场效电晶体。
申请公布号 TW541679 申请公布日期 2003.07.11
申请号 TW091107103 申请日期 2002.04.09
申请人 夏普股份有限公司 发明人 下村奈良和
分类号 H01L23/52 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种半导体装置之内部电源电压产生电路,其包括一分压电路,该分压电路系由一单一场效电晶体及多个电阻器所构成而被结合入一半导体晶片中,其中,该分压电路藉由单一场效电晶体之导通或非导通而将外部供应之电源电压分割成两种电压,所分割之电压当作内部电源电压而被供应至结合入半导体晶片中的多个场效电晶体。2.如申请专利范围第1项之内部电源电压产生电路,其中,藉由分压电路而将外部供应之电源电压分割成两种电压系在于依据单一场效电晶体之临界电压値来改变内部电源电压的値,该临界电压値已经由于在半导体晶片中的制造期间之制程变动而改变。3.如申请专利范围第1项之内部电源电压产生电路,其中,该分压电路系一自动电压调整电路,其系由具有第一电阻器之第一电路及第二电路所构成,在第二电路中,一第二电阻器及单一场效电晶体之串联电路被并联连接至一第三电阻器,而第一电路系和第二电路串联连接。4.如申请专利范围第3项之内部电源电压产生电路,另包括一参考电位产生电路,用以供应一被施加于自动电压调整电路中单一场效电晶体之闸极电极的电压。5.如申请专利范围第4项之内部电源电压产生电路,其中,该参考电位产生电路具有一电路,在该电路中,一第四电阻器与一二极串联连接,此电路被用来将外部供应之电源电压分压,并且输出此所分割之电压,做为被施加于单一场效电晶体之闸极电极的电压。6.如申请专利范围第4项之内部电源电压产生电路,其中,该参考电位产生电路具有一电路,在该电路中,多个电阻器彼此串联连接,此电路被用来将外部供应之电源电压分压,并且输出此所分割之电压,做为被施加于单一场效电晶体之闸极电极的电压。7.如申请专利范围第3项之内部电源电压产生电路,另包括一定电压电路,用以当接收到来自自动电压调整电路之输出时,产生内部电源电压。图式简单说明:图1系应用本发明之内部电源电压产生电路之半导体装置的功能性方块图;图2系显示依据本发明之实施例1之内部电源电压产生电路构造的电路图;图3系显示依据本发明之实施例2之内部电源电压产生电路构造的电路图;图4系习知之一般半导体装置的功能性方块图;以及图5系习知半导体装置中之产生内部电源电压的电路图。
地址 日本