利用侧壁聚合物闸极结构形成LDD的方法

摘要

本发明系提供一种利用侧壁聚合物闸极结构形成LDD的方法，其系在一基底表面形成一闸氧化层与多晶矽闸极后，在闸极两旁形成一侧壁聚合物，再以该闸极及侧壁聚合物为罩幕，进行一浅离子植入步骤，利用该侧壁聚合物的宽度，在侧壁聚合物外的基底中形成一浅离子掺杂区，让浅离子掺杂区在后续的热制程中，横向扩散至侧壁聚合物下方的基底，以形成LDD结构。故可确保闸极下方的通道长度，减少多晶矽闸极与浅离子掺杂区之电容，并可防止击穿效应的产生，使得当元件尺寸缩小的情况下，仍可保持元件之特性，提升产品的良率。

主权项

1.一种利用侧壁聚合物闸极结构形成LDD的方法,包括下列步骤:提供一基底,其上已形成有一闸氧化层及多晶矽闸极;于该多晶矽闸极两侧形成一侧壁聚合物;以该闸极与侧壁聚合物为罩幕,在该基底内进行一浅离子植入,使其在该侧壁聚合物两侧之基底中,形成浅离子掺杂区;及利用热制程,使得该浅离子掺杂区横向扩散至该侧壁聚合物下方之该基底中,以形成LDD结构。2.如申请专利范围第1项所述之利用侧壁聚合物闸极结构形成LDD的方法,其中该浅离子植入系以垂直该基底的角度进行掺杂。3.如申请专利范围第1项所述之利用侧壁聚合物闸极结构形成LDD的方法,其中在形成该浅离子掺杂区之步骤后,更包括将该侧壁聚合物去除之步骤。4.如申请专利范围第3项所述之利用侧壁聚合物闸极结构形成LDD的方法,其中该侧壁聚合物的去除系以氢氟酸溶液完成。5.如申请专利范围第1项所述之利用侧壁聚合物闸极结构形成LDD的方法,其中在进行该热制程步骤后,更可在该基底中进行深离子植入,以形成源极与汲极。6.如申请专利范围第1项所述之利用侧壁聚合物闸极结构形成LDD的方法,其中在形成该浅离子掺杂区之步骤后,更可在该基底中进行深离子植入,以形成源极与汲极。7.如申请专利范围第1项所述之利用侧壁聚合物闸极结构形成LDD的方法,其中该浅离子掺杂系植入硼离子或磷离子。图式简单说明:第1A图至第1C图为习知制作LDD的剖面示意图。第2A图至第2F图为本发明制作LDD的剖面示意图。