| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen Transistor mit einem Emitter (1), einem Kollektor (2) und einer Basisschicht (3) bei dem sich der Emitter (1) in die Basisschicht (3) hineinerstreckt, bei dem die Basisschicht (3) einen zwischen Emitter (1) und Kollektor (2) angeordneten intrinsischen Bereich (4) und einen zwischen dem intrinsischen Bereich (4) und einem Basiskontakt (5) verlaufenden extrinsischen Bereich (6) aufweist, bei dem die Basisschicht (3) eine mit einem dreiwertigen Dotierstoff dotierte erste Dotierschicht (7) enthält, die sich in den extrinsischen Bereich (6) erstreckt und die im Bereich des Emitters (1) durch eine fünfwertige Gegendotierung (8) gegendotiert ist. Durch die erste Dotierschicht (7) kann der elektrische Widerstand der Basisschicht (3) in vorteilhafter Weise reduziert werden.</p> |
