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发明名称 Verfahren zum Bilden eines Substratkontakts in einem Feldeffekttransistor, der über einer vergrabenen Isolierschicht gebildet ist
摘要
申请公布号 DE10054109(C2) 申请公布日期 2003.07.10
申请号 DE2000154109 申请日期 2000.10.31
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 发明人 BURBACH, GERT;HEINLEIN, FRANK;GROSCHOPF, JOHANNES;JUNGNICKEL, GOTTHARD;RUELKE, HARTMUT;HARTIG, CARSTEN
分类号 H01L21/74;H01L21/768;H01L23/532;H01L27/12;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/84 主分类号 H01L21/74
代理机构 代理人
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