| 发明名称 | 用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件 | ||
| 摘要 | 通过蚀刻第一III族氮化物系化合物半导体层(31)成诸如点、条纹或网格的孤岛形式而设置了台阶，并且不同于层(31)的层形成在底部上以便暴露出来。第二III族氮化物系化合物半导体(32)以台阶的上阶台面的上表面和侧表面作用为晶核而横向外延生长，由此填埋台阶部分，并然后允许其向上生长。第二半导体(32)横向外延生长的一部分可以作为约束自第一层(31)产生的贯穿位错的扩散的区域。蚀刻可以进行成直到衬底内形成凹陷位置。原子半径大于主要构成元素镓(Ga)的铟(In)掺杂在作为ELO晶核的层中。第一半导体层可以是由缓冲层和单晶层以多重循环的形式形成的多层。 | ||
| 申请公布号 | CN1429401A | 申请公布日期 | 2003.07.09 |
| 申请号 | CN01809470.8 | 申请日期 | 2001.03.12 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社 | 发明人 | 小池正好;手钱雄太;山下弘;永井诚二;平松敏夫 |
| 分类号 | H01L21/205;H01L21/20;C30B29/38;H01L33/00 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种通过其在衬底上的外延生长来制造III族氮化物系化合物半导体的方法，该方法包括蚀刻包括至少一层III族氮化物系化合物半导体的底层，底层的最上层由第一III族氮化物系化合物半导体形成，由此形成诸如点状、条纹形或网格状结构的岛状结构，从而提供沟渠/台地，使得由不同于第一III族氮化物系化合物半导体的半导体形成的差异层暴露于沟渠的底部，并且以台地的顶面和沟渠的一个侧壁/多个侧壁作用为晶核，垂直并横向外延生长第二III族氮化物系化合物半导体，台地和沟渠是通过蚀刻第一III族氮化物系化合物半导体从而形成诸如点状、条纹形或网格状结构的岛状结构而形成。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||