| 发明名称 | 使用氧化线层作为介电阻挡层的双镶嵌制程 | ||
| 摘要 | 一种使用氧化线层作为介电阻挡层的双镶嵌制程，双镶嵌开口是由一孔洞以及一渠沟所构成，孔洞暴露一金属导线且被一低介电常数的第一介电层所包围，渠沟位于孔洞上方且被一低介电常数的第二介电层所包围；形成一氧化线层覆盖第一介电层以及第二介电层的侧壁；然后，形成一金属阻障层覆盖双镶嵌开口的侧壁与底部；接着，形成一导电层填满双镶嵌开口；最后，去除渠沟区域以外的导电层，残留于双镶嵌开口内的导电层成为一双镶嵌结构。具有增加ILD层与金属阻障层之间的附着性的功效。 | ||
| 申请公布号 | CN1428838A | 申请公布日期 | 2003.07.09 |
| 申请号 | CN01144733.8 | 申请日期 | 2001.12.24 |
| 申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 李世达;徐震球 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1、一种使用氧化线层作为介电阻挡层的双镶嵌制程，其特征是：它至少包括下列步骤：(1)提供一半导体基底，其包含有至少一双镶嵌开口，该双镶嵌开口是由一孔洞以及一渠沟所构成，该孔洞曝露一金属导线且被一低介电常数的第一介电层所包围，该渠沟位于该孔洞上方且被一低介电常数的第二介电层所包围；(2)形成一氧化线层覆盖该第一介电层以及该第二介电层的侧壁；(3)形成一金属阻障层覆盖该双镶嵌开口的侧壁与底部；(4)形成一导电层，以填满该双镶嵌开口；(5)去除该渠沟区域以外的导电层，则残留于该双镶嵌开口内的导电层成为一双镶嵌结构。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学园区 | ||