| 发明名称 | 低相对介电常数的SiOx膜、制造方法和使用它的半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种低相对介电常数的SiOx膜、制造方法和使用它的半导体装置。不用碱金属、氟等，耐热性优良的低相对介电常数SiOx膜、实现相对介电常数比该低相对介电常数SiOx膜更低、绝缘性添强的SiOx膜的改性方法、及通过将低相对介电常数SiOx膜作为金属配线的层间绝缘膜，能提供膜上无裂缝、不会剥离、可靠性高的半导体装置。上述低相对介电常数SiOx其特征为，膜由SiOx为主要成分(但，1.8≥X≥1.0)的多孔物质组成，在1MHZ中的相对介电常数为3以下。 | ||
| 申请公布号 | CN1429405A | 申请公布日期 | 2003.07.09 |
| 申请号 | CN01809332.9 | 申请日期 | 2001.05.07 |
| 申请人 | 电气化学工业株式会社 | 发明人 | 森崎弘;今村保男 |
| 分类号 | H01L21/316;C01B33/113;C23C14/10;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 赵国华 |
| 主权项 | 1.一种低相对介电常数的SiOx膜，其特征在于，由以SiOx(其中，1.8≥X≥1.0)为主要成分的多孔质物质组成，在1MHZ中的相对介电常数为3以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||