| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 在此提供一种半导体器件，其中包括：第二绝缘膜，其形成在第一布线的表面与第二绝缘膜的表面相连续的一个基本上平整表面上，以覆盖第一布线；在第二绝缘膜中形成第一布线沟槽；在第二绝缘膜中形成的连接孔，以从该布线沟槽延伸到该第一布线；在第二绝缘膜中形成的伪连接孔，以从布线沟槽延伸到不形成第一布线的区域；以及第二布线，其被埋在该连接孔和布线沟槽中，以电连接到第一布线，并且还被埋在伪连接孔中，并且被形成为使得第二布线的表面与第一绝缘膜的表面构成一个基本上平整的表面。 | ||
| 申请公布号 | CN1428855A | 申请公布日期 | 2003.07.09 |
| 申请号 | CN02157548.7 | 申请日期 | 2002.12.20 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 渡边健一;清水纪嘉;铃木贵志 |
| 分类号 | H01L23/522;H01L21/768;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L23/522 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其中包括：第二绝缘膜，其形成在第一布线的表面与第二绝缘膜的表面相连续的一个基本上平整表面上，以覆盖第一布线；在第二绝缘膜中形成第一布线沟槽；在第二绝缘膜中形成的连接孔，以从该布线沟槽延伸到该第一布线；在第二绝缘膜中形成的伪连接孔，以从布线沟槽延伸到不形成第一布线的区域；以及第二布线，其被埋在该连接孔和布线沟槽中，以电连接到第一布线，并且还被埋在伪连接孔中，并且被形成为使得第二布线的表面与第一绝缘膜的表面构成一个基本上平整的表面。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||