| 发明名称 | 内连线的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种内连线的形成方法，通过于绝缘层上提供一层金属层，并于金属层上形成图案化的罩幕层；接着将罩幕层的图案转移至金属层中，以形成贯穿罩幕层和金属层的开口；于罩幕层、金属层和绝缘层的表面形成顺应性的衬氮化硅层后，进行反应性离子蚀刻，降低罩幕层和金属层所构成的开口的高宽比，具有提高沉积的绝缘层的沟填能力的功效。 | ||
| 申请公布号 | CN1428837A | 申请公布日期 | 2003.07.09 |
| 申请号 | CN01144732.X | 申请日期 | 2001.12.24 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 黄则尧;林智清;孙玉琪;吴昌荣 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/314;H01L21/3213;H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1、一种内连线的形成方法，其特征是：它包括如下步骤：(1)提供一金属层于一绝缘层上；(2)在该金属层上形成图案化的一罩幕层；(3)将该罩幕层的图案转移至该金属层中，以形成一开口；(4)于该罩幕层、金属层和绝缘层的表面形成顺应性的一衬氮化硅层；(5)进行反应性离子蚀刻，对该罩幕层的角落及角落处的该衬氮化硅层的蚀刻速率快于该开口底部的该衬氮化硅层的蚀刻速率，将该罩幕层削角，以降低该开口的高宽比；(6)移除该衬氮化硅层；(7)覆盖一绝缘层，并填满该开口。 | ||
| 地址 | 台湾省桃园县 | ||