积体电路的双镶嵌结构的制作方法

摘要

一种积体电路的双镶嵌结构的制作方法，通过旋涂高分子技术，于一半导体基底表面上形成一低介电常数的第一绝缘层，再于第一绝缘层中形成一孔洞。然后以化学气相沉积技术于第一绝缘层上形成一低介电常数的第二绝缘层，并使第二绝缘层填入孔洞；于第二绝缘层内形成一渠沟，且渠沟的位置是相对应于孔洞的上方；去除孔洞内的第二绝缘层，于渠沟以及孔洞内填满一导电层。具有避免损伤柱型洞的轮廓，进而防止IMD层的出气现象，确保导电层与金属导线之间的接触品质，及改善IC组件的硬度和热传导性的功效。

主权项

1、一种积体电路的双镶嵌结构的制作方法，其特征是：它至少包括下列步骤：(1)于一半导体基底表面上形成第一绝缘层，该第一绝缘层是经由旋涂高分子技术所形成的低介电常数材料；(2)于该第一绝缘层中形成一孔洞；(3)于该第一绝缘层上形成第二绝缘层，并使该第二绝缘层填入该孔洞，该第二绝缘层是经由化学气相沉积技术所形成的低介电常数材料；(4)于该第二绝缘层内形成一渠沟，该渠沟的位置是相对应于该孔洞的上方；(5)去除该孔洞内的该第二绝缘层；(6)于该渠沟以及该孔洞内填满一导电层。