| 发明名称 |
A semiconductor memory having a multilevel quantum dot structure, a method of fabricating the same, and an optical device incorporating the same |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2339073(B) |
申请公布日期 |
2003.07.09 |
| 申请号 |
GB19990015077 |
申请日期 |
1999.06.28 |
| 申请人 |
* LG SEMICON CO., LTD. |
发明人 |
KI BUM * KIM;TAE SIK * YOON;JANG-YEON * KWON |
| 分类号 |
H01L29/06;G11C11/56;H01L27/10;H01L27/112;H01L29/10;H01L29/66;H01L29/788;(IPC1-7):H01L21/824;H01L27/115 |
主分类号 |
H01L29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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