发明名称 | 地址变换检测加法电路 | ||
摘要 | 在上拉时使进行上拉的PMOS晶体管的栅极输入电压保持在中间电平的地址变换检测加法电路,该电路包括:进行上拉的PMOS晶体管;把多个ATD信号相加的地址变换检测加法单元;延迟地址变换检测加法节点信号的延迟单元;及多个反相器,还包括用于使PMOS晶体管的输入电平保持在中间电平的输入信号发生单元,代替与PMOS晶体管的栅极输入相连的NAND门,所以,尽管输入了短脉冲的ATD信号,但仍能使地址变换检测加法信号的宽度增大成和短脉冲的ATD信号一样宽,启动地址变换检测加法信号,以灵敏地响应短脉冲,从而防止芯片工作故障。 | ||
申请公布号 | CN1114270C | 申请公布日期 | 2003.07.09 |
申请号 | CN97120126.9 | 申请日期 | 1997.11.06 |
申请人 | LG半导体株式会社 | 发明人 | 黄明夏 |
分类号 | H03K19/00 | 主分类号 | H03K19/00 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆弋 |
主权项 | 1.一种地址变换检测加法电路,包括:上拉装置,用于对输入信号执行上拉;地址变换检测加法单元,把上拉装置的输出与多个NMOS晶体管的输出相加,这些NMOS晶体管分别接收地址变换检测(ATD)信号;延迟单元,用于延迟来自地址变换检测加法单元的信号;和输入信号发生单元,其与延迟单元相连,并且当ATD信号为短脉冲ATD信号时,其使上拉装置的输入信号保持在中间电平。 | ||
地址 | 韩国忠清北道 |