发明名称 | 相移掩模及其制造方法 | ||
摘要 | 一种能够改善将要形成的光刻胶膜图形的构型的相移掩模,由此获得微图形的容易形成以制造高集成的半导体器件,以及一种用于形成该相移掩模的方法。该相移掩模包括:透明基片、在透明基片上形成的遮光膜图形、具有交替布置的分别有所需尺寸的线和空的遮光膜图形、在遮光膜图形上形成并提供交替布置的线和空的第一相移膜图形,该第一相移膜图形具有大于遮光膜图形的线宽度、和在由第一和第二相移膜图形的空占据的透明基片的一部分上形成的第二相移膜图形。 | ||
申请公布号 | CN1114129C | 申请公布日期 | 2003.07.09 |
申请号 | CN96106894.9 | 申请日期 | 1996.07.01 |
申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 裵相满 |
分类号 | G03F1/00 | 主分类号 | G03F1/00 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜 |
主权项 | 1.一种相移掩模,包括:透明基片;在所述透明基片上直接形成的第一相移膜图形,该第一相移膜图形具有交替布置的分别有所需尺寸的线和空;在所述第一相移膜图形上直接形成而不在所述透明基片上的并具有交替布置的线和空的遮光膜图形,该遮光膜图形具有小于所述第一相移膜图形的线宽度;以及在由所述第一相移膜图形的空所占据的所述透明基片的一部分上直接形成在所述透明基片上的第二相移膜图形,第二相移膜图形占据的面积小于第一相移膜图形的空占据的面积。 | ||
地址 | 韩国京畿道利川市 |