| 发明名称 | 封装的微电子器件 | ||
| 摘要 | 一种封装的微电子器件。该器件包括半导体基片、与半导体基片相邻的微电子器件以及与微电子器件相邻的至少一第一阻挡叠层件。该阻挡叠层件封装微电子器件，其包括至少一第一阻挡层和至少一聚合物层。所述封装的微电子器件可有选择地包括位于半导体基片与微电子器件之间的至少一第二阻挡层。所述第二阻挡层包括至少一第二阻挡层与至少一第二聚合物层。还公开了用于制造封装的微电子器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1429412A | 申请公布日期 | 2003.07.09 |
| 申请号 | CN01809531.3 | 申请日期 | 2001.03.01 |
| 申请人 | 巴特勒记忆研究所 | 发明人 | G·L·格拉夫;P·M·马丁;M·E·格罗斯;M·K·施;M·G·哈尔;E·S·马斯特 |
| 分类号 | H01L51/20 | 主分类号 | H01L51/20 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京;章社杲 |
| 主权项 | 1.一种封装的微电子器件，包括：半导体基片；与该半导体基片相邻的微电子器件；以及包括至少一第一阻挡层与至少一第一聚合物层的至少一第一阻挡叠层件，该至少一第一阻挡叠层件与该微电子器件相邻，其中该至少一第一阻挡叠层件封装所述微电子器件。 | ||
| 地址 | 美国华盛顿州 | ||