功率金属氧化物半导体场效晶体管装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种功率金属氧化物半导体场效晶体管装置及其制造方法。该装置依次地具有N⁺硅基板的汲极，形成在该N⁺硅基板上的N^－磊晶层，形成在该N^－磊晶层上方的P^－阱中形成的N⁺及蚀刻后布植的P⁺型掺杂物阱的源极接触区，以及在该N^－磊晶层与N⁺型源极接触区之间通道上方沉积有多晶硅的门极电极。该源极接触区为先蚀刻至P^－阱中再离子布植P⁺掺杂物于N^－磊晶层与P^－阱间的界面处，以及该N⁺型阱的源极接触区与该P⁺型阱的源极接触区并非在同一电压上，由此可减少反向漏电流急变，增加功率MOSFET装置的耐雪崩崩溃电流能力。

主权项

1.一种功率金属氧化物半导体场效晶体管装置，其依序地具有N+硅基板的汲极，形成在该N+硅基板上的N-磊晶层，形成在该N-磊晶层上方的P-阱，在该P-阱中形成的N+及蚀刻后布植的P+型掺杂物阱的源极接触区，以及在该N-磊晶层与N+型源极接触区之间通道上方沉积有多晶硅的门极电极，其特征在于：所述源极接触区为先蚀刻至P-阱中再离子布植P+掺杂物之后完成且位于该N-磊晶层与该P-阱间的界面处，以及该N+型阱的源极接触区与该P+型柱塞的源极接触区并非在同一电压上，由此可增加功率MOSFET装置的耐雪崩崩溃电流能力。