| 发明名称 |
Method of making a CMOS device with high and low voltage transistors |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0661751(B1) |
申请公布日期 |
2003.07.09 |
| 申请号 |
EP19940105790 |
申请日期 |
1994.04.14 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED |
发明人 |
CHAPMAN, RICHARD A. |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/49;(IPC1-7):H01L27/092;H01L29/43 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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