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发明名称
NITROGEN-DOPED SILICON SUBSTANTIALLY FREE OF OXIDATION INDUCED STACKING FAULTS
摘要
申请公布号
EP1325178(A2)
申请公布日期
2003.07.09
申请号
EP20010968299
申请日期
2001.08.30
申请人
MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.
发明人
HAGA, HIROYO;AOSHIMA, TAKAAKI;BANAN, MOHSEN
分类号
C30B15/00;(IPC1-7):C30B29/06
主分类号
C30B15/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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