| 摘要 |
<P>L'invention concerne un capteur de température intégré comprenant :un premier transistor bipolaire de type PNP (35) monté en diode entre une première borne (31) et une deuxième borne (34) du capteur destinée à être reliée à un rail d'alimentation de référence (GND);un élément résistif (36) et un second transistor bipolaire de type PNP (37) monté en diode, connectés en série entre une troisième borne (32) du capteur et ladite deuxième borne, le deuxième transistor bipolaire étant de taille supérieure au premier;un élément de conversion courant-tension (38) connecté entre une quatrième borne et la deuxième borne, les première et troisième bornes étant destinées à être reliées par un élément de recopie de tension (39) et les première, deuxième et quatrième bornes étant destinées à recevoir chacune un courant identique (I). </P>
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