发明名称 DISPOSITIF DE COUPE DE COUCHE D'UN SUBSTRAT, ET PROCEDE ASSOCIE
摘要 <p><P>L'invention concerne un procédé de coupe de deux couches de matériau (10a, 10b) formant un ensemble à couper (10), comprenant :. la création entre les deux couches d'une interface de fragilisation (11), définissant une couronne d'interface,. la formation d'une première région (21) dite de haute pression,. la formation d'au moins une deuxième région (22a, 22b) dite de basse pression,. l'alimentation de la région de haute pression avec un fluide dont la pression est contrôléecaractérisé en ce que :. la création d'une interface de fragilisation peut être réalisée par tout type de procédé connu en soi et adapté à cet effet, et n'est ainsi pas limitée à la création d'une interface de collage, et. en combinaison avec l'alimentation en haute pression on attaque la couronne d'interface de l'ensemble à couper avec au moins une lame (30). L'invention concerne également un dispositif associé. </P></p>
申请公布号 FR2834380(A1) 申请公布日期 2003.07.04
申请号 FR20020000024 申请日期 2002.01.03
申请人 S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES 发明人 RAYSSAC OLIVIER;LETERTRE FABRICE
分类号 B28D5/04;B28D5/00;H01L21/20;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/30;B32B35/00 主分类号 B28D5/04
代理机构 代理人
主权项
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