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Die vorliegende Erfindung betrifft einen Transistor vom zylindrischen Typ mit einer vertikalen Silizium-auf-Isolator-Struktur und ein Herstellungsverfahren dafür, die es Einrichtungen ermöglicht, eine höhere Integration und verbesserte elektrische Charakteristiken und Zuverlässigkeit zu erzielen. Der Transistor weist auf: einen Wannenbereich eines ersten Leitfähigkeitstyps, der auf einem Siliziumsubstrat ausgebildet ist; eine Drain eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die bei einer vorbestimmten Tiefe des Wannenbereiches ausgebildet ist; mehrere Siliziumfüllungen bzw. -anhäufungen in der Form von vertikalen Zylindern, die in dem Wannenbereich oberhalb der Drain angeordnet sind; eine Source des zweiten Leitfähigkeitstyps, die auf den Siliziumfüllungen bzw. -anhäufungen entfernt von der Drain in der vertikalen Richtung ausgebildet ist; ein Gate, das die Innenseite der Siliziumfüllungen bzw. -anhäufungen mit einer Gateoxidschicht, die zwischen den Siliziumfüllungen bzw. -anhäufungen zwischengesetzt ist, füllt; eine Isolationsoxidschicht, die auf einer gesamten Oberfläche einer sich ergebenden Struktur ausgebildet ist, die einen Abschnitt des Gates, der Source und der Drain freigibt; und Kontaktflecken bzw. -anschlüsse, von denen jeweils einer bzw. von denen einer elektrisch an das Gate, die Source bzw. die Drain angeschlossen ist, wie diese durch die Isolationsoxidschicht freigelegt sind; wobei Transistorkanäle in den Siliziumfüllungen bzw. -anhäufungen ausgebildet sind und ...
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