| 摘要 |
<p>L'invention concerne un dispositif MONOS et un procédé de fabrication de ce dispositif. Ce dispositif présente une couche diélectrique (32) de piégeage de charge, notamment une couche oxyde-nitrure-oxyde (ONO) (34, 36, 38), formée sur un substrat (30). Un renfoncement (44) est créé à travers la couche ONO (32) et dans le substrat (30). Un canal bit en siliciure métallique (48) se forme dans le renfoncement (44), et un oxyde de canal bit (54) se forme à la surface du siliciure métallique. Un canal mot (56) est formé sur la couche ONO (32) et sur l'oxyde de canal bit (54), un siliciure de faible résistance (58) est obtenu à la surface du canal mot (56). Le siliciure (58) est par exemple formé par un recuit thermique laser.</p> |
