| 摘要 |
<p>L'invention concerne une structure d'interconnexion électrique sur un substrat, qui comprend une première couche diélectrique poreuse à zone de surface dans laquelle un porogène a été épuisé; et une couche d'arrêt d'attaque placée sur cette première couche de manière à s'étendre pour combler partiellement les pores de la zone de surface de ladite première couche débarrassée du porogène, ce qui permet d'améliorer l'adhésion durant le traitement ultérieur. L'invention concerne une autre structure, qui comprend: un substrat; plusieurs couches diélectriques poreuses sur le substrat; une couche d'arrêt d'attaque entre une première couche diélectrique et une seconde couche diélectrique; et au moins une couche diélectrique non poreuse, mince, résistante, entre au moins une des couches diélectriques et la couche d'arrêt d'attaque. L'invention concerne également des procédés relatifs à la formation de ces structures.</p> |
