金属内连线的制作方法

摘要

一种金属内连线的制作方法，先提供一表面包含有一第一介电层的半导体基底，且该第一介电层中形成有至少一凹槽，接着于该凹槽表面依序形成一黏着层、一金属层以及一材料层，并利用该材料层封住该凹槽的洞口；然后进行一黄光暨蚀刻制程(PEP)，以于该黏着层、该金属层以及该材料层中，形成至少一金属内连线；其中，封住该凹槽洞口的该材料层，用来防止该黄光暨蚀刻制程的光阻残留于该凹槽内，因此在进行金属内连线的黄光制程时，就不会有光阻层残余在介层洞之内，以有效避免如微粒、缺陷以及气泡等的异常现象的发生；所以本发明不但可以解决光阻残留的问题，而且不需要沉积太厚的钨层，以有效简化制程，解决成本增加及难以被平坦化的问题，进而达到提高良率的目的。

主权项

1.一种制作金属内连线的方法，其特征是：该方法包含有下列步骤：提供一半导体基底，且该半导体基底上包含有一导电区域，以及一第一介电层覆盖于该半导体基底以及该导电区域上方；对该第一介电层进行一黄光暨蚀刻制程(PEP)，以于该第一介电层中形成至少一凹槽，直至该导电区域表面；于该第一介电层以及该凹槽表面依序形成一黏着层以及一金属层，且该金属层以及该黏着层并未完全填满该凹槽；于该金属层表面形成一材料层，且该材料层封住该凹槽的洞口，并于该凹槽内形成一孔洞；于该材料层表面形成一图案化的光阻层，用来定义出至少一金属内连线的图案；进行一蚀刻制程，去除未被该光阻层所覆盖的该材料层、该金属层以及该黏着层，以形成该金属内连线；去除该光阻层；以及于该金属内连线以及该第一介电层表面形成一第二介电层。