| 发明名称 | 非易失性半导体存储器和操作方法 | ||
| 摘要 | 一种将数据写入非易失性半导体存储器的方法，该非易失性半导体存储器具有多个存储单元，其中字线由存储单元共用，位线由相邻的存储单元共用，该方法包括从一端的存储单元到另一端的存储单元依次将数据写入与同一条字线连接的存储单元中。 | ||
| 申请公布号 | CN1427419A | 申请公布日期 | 2003.07.02 |
| 申请号 | CN02157124.4 | 申请日期 | 2002.12.17 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 山内祥光 |
| 分类号 | G11C16/06;H01L27/10 | 主分类号 | G11C16/06 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 龚海军 |
| 主权项 | 1.一种将数据写入非易失性半导体存储器的方法，该非易失性半导体存储器具有多个存储单元，其中字线由存储单元共用，位线由相邻的存储单元共用，该方法包括：从一端的存储单元到另一端的存储单元，依次地将数据写入与同一条字线连接的存储单元中。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||