发明名称 集成光学强度调制器及其制造方法
摘要 本发明提供了一种集成光学强度调制器及其制造方法。该调制器包括一具有自发极化、沿一预定方向切割的基片;一在所述基片上形成的光波导;一组具有沿自发极化相反方向的畴域的畴反向区域;以及一个形成在所述光波导上的第一电极和形成在所述基片上的光波导右边和左边的第二和第三电极,其中如果将一预定电压施加到第一电极,光波根据所述光波导中的畴反向区域的折射率和所述自发极化区域折射率的变化在畴反向区域折射和散射。
申请公布号 CN1113265C 申请公布日期 2003.07.02
申请号 CN98102842.X 申请日期 1998.07.10
申请人 三星电子株式会社 发明人 李相润;张祐赫
分类号 G02F1/035 主分类号 G02F1/035
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 刘晓峰
主权项 1.一种集成光学强度调制器,其特征在于包括:一个具有自发极化区域的基片,其自发极化的方向与所述基片纵轴方向垂直;一个处在所述基片表面上并沿所述基片纵轴以预定的深度延伸的光波导;一组位于所述基片内的畴反向区域,具有与所述自发极化方向相反的极化方向的畴域,所述畴反向区域沿垂直于所述纵轴的方向延伸但不与所述纵轴交叉,并与所述光波导交错布置,该畴反向区域在所述纵轴两侧与所述自发极化区域交替相间;以及一个形成在所述光波导上的第一电极和分别形成在所述基片表面上并位于所述光波导两侧的一个第二电极和一个第三电极;当把电压相对于所述第二和第三电极施加给所述第一电极时,响应于该电压的光波在所述光波导内传播,并相应于所述畴反向区域的折射率的变化和所述自发极化区域的折射率的变化在所述畴反向区域内受到折射和散射。
地址 韩国京畿道